化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備>制樣/消解設(shè)備>拋光機(jī)/磨拋機(jī)/磨樣機(jī)> 7AF-HMG SiC研磨機(jī)
7AF-HMG SiC研磨機(jī)
- 公司名稱 岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/11/9 15:58:17
- 訪問次數(shù) 3342
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,制藥,綜合 |
7AF-HMG研磨機(jī)特點(diǎn):
雙探頭檢測(cè):
研磨SiC會(huì)產(chǎn)生熱量,從而導(dǎo)致研磨機(jī)熱膨脹,使用單個(gè)探針,研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準(zhǔn)確,通常會(huì)導(dǎo)致研磨不足,使用雙探針可防止研磨不足,一個(gè)探針參考晶圓,另一個(gè)探針則參考工作卡盤,這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差
實(shí)時(shí)過程監(jiān)控:
應(yīng)用:
基質(zhì)研磨
·在晶圓制造過程的早期發(fā)生,
·用線鋸或K-cut切割
·漿料去除通常在10微米
·后續(xù)晶圓制造操作為表面
·用6EZ拋光
背面研磨
·在晶圓的一側(cè)制造器件后發(fā)生
·起始面通常具有較低的TTV
·漿料去除通常在100微米
其他應(yīng)用程序
·線鋸基材的背面減薄和整體減薄