原子層沉積
- 公司名稱 昱臣半導(dǎo)體技術(shù)（香港）有限公司
- 品牌 ANYTECABLE
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/4/13 19:42:36
- 訪問次數(shù) 121
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| 價(jià)格區(qū)間 | 100萬(wàn)-200萬(wàn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子,航天,汽車 |
|---|
原子層沉積系統(tǒng)
Atomic Layer Deposition System
產(chǎn)地：美國(guó)Angstrom；
型號(hào)：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III；
原子層沉積技術(shù)（Atomic Layer Deposition）是一種原子尺度的薄膜制備技術(shù)，它可以沉積均勻一致、厚度可控、成分可調(diào)的超薄薄膜。隨著納米技術(shù)和半導(dǎo)體微電子技術(shù)的發(fā)展，器件和材料的尺寸要求不斷地降低，同時(shí)器件結(jié)構(gòu)中的寬深比不斷增加，這樣就要求所使用材料的厚度降低至十幾納米到幾個(gè)納米數(shù)量級(jí)。因此原子層沉積技術(shù)逐漸成為了相關(guān)制造領(lǐng)域不可替代的技術(shù)，其優(yōu)勢(shì)決定了它具有巨大的發(fā)展?jié)摿透訌V闊的應(yīng)用空間。
主要型號(hào)：
- Angstrom Dep II: 熱型原子層沉積系統(tǒng) (T-ALD);
- Angstrom Dep III: 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) (PEALD);
- Angstrom Dep I: 粉末原子層沉積系統(tǒng) (Powder ALD);
技術(shù)規(guī)格特點(diǎn)：
- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；
- 基底加熱溫度：25℃~450℃(選配：650℃)；
- ALD沉積均勻性：<1% (AL2O3@4”晶圓襯底)；
- 前驅(qū)體源路：4路 / 6路 / 8路，可選；
- 源瓶容量/溫度：100cc，常溫 / 150℃ / 200℃ / 250℃可選；
- ALD閥門：Swagelok高溫ALD閥，150℃ / 200℃ / 250℃可選；
- 載氣：氮?dú)饣蛘邭鍤猓?/span>
- 真空獲得系統(tǒng)：阿爾卡特真空機(jī)械泵，也可選配普發(fā)分子泵或高速干泵；
- 其他可選模塊： Load-Lock樣品傳輸腔室，手套箱，冷阱，臭氧發(fā)生器，等離子體源、粉末沉積腔，各種原位監(jiān)測(cè)模塊，尾氣處理系統(tǒng)等；
ALD可沉積材料分類：
- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
- 金屬單質(zhì)：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
- 復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
等等…
參考用戶：
中科院化學(xué)所，中科院大連化物所，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所，北京大學(xué)，北京工大，北京科大，電子科大，上海理工大學(xué)…
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