晶圓是生產(chǎn)集成電路的載體和的材料，從沙子到晶圓再到芯片，需經(jīng)歷復(fù)雜的工藝流程。晶圓(wafer)是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，即厚度在1mm以下的硅薄片。目前集成電路領(lǐng)域用的最多的晶圓材料是單晶硅片。

晶圓尺寸：8英寸、12英寸的晶圓直徑分別是200mm和300mm,晶圓可以制造的芯片數(shù)量與晶圓的尺寸和芯片的制程有關(guān)。制程是芯片上導(dǎo)線之間的距離，3nm制程即導(dǎo)線之間只有3nm，制程越小單位面積上可集成的導(dǎo)線就越多，功能就越強大。晶圓的材料、尺寸以及與芯片的關(guān)系共同決定了芯片性能、成本和產(chǎn)量。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，晶圓尺寸不斷增大，制程工藝不斷縮小，使得集成度更高、性能更好的芯片得以制造。

晶圓制作流程：沙子提純——多晶硅直拉法——單晶硅棒切割——晶圓光刻——芯片

COT(coater unit):  運用離心機原理，將光刻膠均勻涂布在晶圓表面的單元。

DEV(deveioper unit):主要是在曝光后，離心運動將顯影液均勻涂布到晶圓表面，使顯影液把需要的部分和不需要的部分區(qū)分開，去掉一部分感光劑（PR）后的圖像。

AD(adhesion unit):涂感光劑PR之前，增加膠膜和晶片之間的粘貼性能。

勻膠顯影機顯影工藝步驟：CS——CA——DEV——HP——CP——CS

勻膠顯影機勻膠工藝步驟：CS——CA——AD——COT——HP——CP——CS

全自動！高效率！勻膠顯影機產(chǎn)品特點:

勻膠顯影機中顯影工藝是指用還原劑把軟片或印版上經(jīng)過曝光形成的潛影顯現(xiàn)出來的過程。PS版的顯影則是在印版圖文顯現(xiàn)出來的同時，獲得滿足印刷要求的印刷版面和版面性能。顯影機是將曬制好的印版通過半自動和全自動的程序?qū)@影、沖洗、涂膠、烘干等工序一次性部分或全部完成的印刷處理設(shè)備。

產(chǎn)品介紹

Wafer size:2"-12";

涂膠（Coater）、顯影（Developer）、OVEN(HP+CP+HMDS);

設(shè)備實現(xiàn)全自動化生產(chǎn)；

模塊自帶暫停恢復(fù)功能；

伺服馬達配合運行速度更快精度更高，穩(wěn)定性更好，噪音更低；速度可根據(jù)工藝要求實現(xiàn)多段速設(shè)置；

同片盒站每個晶圓（Wafer）可分別制定不同的工藝運行；

設(shè)備和各工位全封閉設(shè)計，不受外界環(huán)境干擾；

可獨立增加層流罩（FFU）,提升小環(huán)境潔凈度；

干濕分離，溫濕度控制系統(tǒng)選配（THC）;

有準用的膠瓶放置箱和廢氣回收裝置，防止膠液溢出及廢氣對現(xiàn)場環(huán)境影響；

涂膠機膠口采用日本進口注膠頭，膠量有保證；

維護省力，方便。

適用于2至6英寸晶圓的勻膠顯影工藝

設(shè)備配置:勻膠(顯影)、熱(冷)板單元可根據(jù)用戶定制

6寸以下wafer全自動勻膠/顯影,烘烤全自動工藝處理

整機適合產(chǎn)能要求較高的批量產(chǎn)線

根據(jù)客戶工藝需求可加裝溫濕度控制、離子風(fēng)棒等模塊

可選配MES協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊

產(chǎn)品參數(shù)

旋轉(zhuǎn)速度范圍:20-5000rpm

加速度范圍:20-20000rpm/s

轉(zhuǎn)速精度:±1rpm

熱盤溫度范圍:50℃-200℃

熱盤溫度均勻性:±1%

冷盤溫度范圍:20°℃-25°℃

冷盤溫度均勻性:±0.2℃

光刻膠粘度:0-1000Cp(可選高粘度光膠機臺)

膠泵類型:氣動或電動膠泵

光刻膠或顯影液管路:≤3路

流量監(jiān)控:超聲流量計

設(shè)備尺寸:2140mm(W)x1780mm(D)x2200mm(H)