1 產品概述:

  物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，簡稱PVD）平臺是一種利用物理方式將材料從源頭蒸發(fā)或濺射到基底表面進行薄膜制備的先進設備。該技術通過高速粒子的撞擊，將材料從固態(tài)或液態(tài)轉化為氣態(tài)，并沉積在基底上形成薄膜。PVD平臺廣泛應用于半導體、光學、電子、航空航天、生物醫(yī)學等多個領域，是材料科學和現(xiàn)代工業(yè)中關鍵工藝設備。

2 設備用途：

  半導體行業(yè)：在半導體材料表面沉積一層或多層薄膜，以制備晶體管、集成電路等半導體器件，提高器件性能和穩(wěn)定性。

  光學領域：在光學元件表面沉積光學薄膜，改變其光學性能，如反射率、透過率和折射率等，滿足特定光學需求。

  航空航天：在航空航天部件表面沉積耐磨、耐腐蝕、耐高溫的薄膜，提高部件的使用壽命和安全性。

  生物醫(yī)學：在醫(yī)療器械表面沉積生物相容性好的薄膜，提高器械的生物相容性和耐腐蝕性。

  數(shù)據(jù)存儲：在硬盤、光盤等數(shù)據(jù)存儲介質表面沉積薄膜，提高存儲密度和讀寫速度。

3 設備特點

1.    高精度與高質量：PVD平臺能夠制備出高精度、高質量的薄膜，滿足各種精密加工需求。      

2.    多功能性：支持多種鍍膜方式，如蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、脈沖激光沉積等，滿足不同材料的鍍膜需求。

3.    高靈活性：設備設計靈活，可根據(jù)具體需求進行定制，適應不同尺寸和形狀的基底。

4.    高真空環(huán)境：設備在高度真空環(huán)境下工作，減少雜質污染，保證薄膜的純凈度和質量。

4 設備參數(shù)

   擁有較大的腔室，基片臺尺寸為 500mm×700mm，可容納多達 14 個源，能適應多種物理氣相沉積工藝，也可配置以達到超高真空（UHV）環(huán)境。沉積源選項豐富：

   濺射方面，提供射頻（RF）、直流（DC）、脈沖直流（Pulsed DC）、高功率脈沖磁控濺射（HIPIMS）和反應濺射等模式，并有圓形、線性和圓柱形陰可供選擇。