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詳細(xì)摘要： 二硫化錸晶體 ReS2 （Rhenium Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.63...

詳細(xì)摘要： 二硫化錫晶體 2H-SnS2（Tin Sulfide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體（~ 2.2ev）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.364,...

詳細(xì)摘要： 二硫化鉭晶體（1T） TaS2（Tantalum Sulfide） -1T晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，電荷密度波（CDW），Mott相晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶...

詳細(xì)摘要： 二硫化鉭晶體（2H） TaS2（Tantalum Sulfide） -2H晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：Metal, Charge density waves ...

詳細(xì)摘要： 二硫化鈦晶體 TiS2（Tantalum Sulfide） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：半金屬，逆磁性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =...

詳細(xì)摘要： 二硫化鎢晶體 2H-WS2（Tungsten Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細(xì)摘要： Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

詳細(xì)摘要： 硫鹽礦物晶體 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：合成尺寸：~8mm純度：99...

詳細(xì)摘要： Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes ...

詳細(xì)摘要： 晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶體類型...

詳細(xì)摘要： 二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：2毫米電學(xué)性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, charge ...

詳細(xì)摘要： 三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,In...

詳細(xì)摘要： 三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細(xì)摘要： 三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細(xì)摘要： 三硫化鎳（磷摻雜）晶體（99.995%） NiPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細(xì)摘要： 硫磷化銅（銦摻雜）晶體（99.995%） CuInP2S6晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3...

詳細(xì)摘要： As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.

詳細(xì)摘要： Bismuth sulfide （Bi?S?） Developed at our facilities in the last five （5） years t...

詳細(xì)摘要： Bismuth Telluride Sulfide （Bi?Te?.?S?.?） is developed at our facilities.

詳細(xì)摘要： CuS is a member of metal chalcogenides （see our GaSe and GaTe products）.