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詳細摘要： 二硒化釩晶體 VSe2 （Vanadium Diselenide）晶體尺寸：~8毫米電學性能：金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =...

詳細摘要： 二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3...

詳細摘要： 二硒化鋯晶體 ZrSe2 （Zirconium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學性能：半導體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.377, c ...

詳細摘要： 晶體尺寸：亞毫米大小電學特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90...

詳細摘要： 晶體尺寸：8毫米電學性能：半導體晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷晶胞參數(shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ...

詳細摘要： 三硒化鋯晶體（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide）晶體尺寸：~8毫米電學性能：半導體晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = ...

詳細摘要： 二硒化鉬晶體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型晶體尺寸：~10毫米電學特性：N型半導體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細摘要： 二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3...

詳細摘要： 硒化銦晶體（99.995%） InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InS...

詳細摘要： 二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,...

詳細摘要： 硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTe...

詳細摘要： 三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,G...

詳細摘要： Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimi...

詳細摘要： World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are developed a...

詳細摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細摘要： Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）Se2 crystals perfectly crys...

詳細摘要： Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material remains l...

詳細摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細摘要： High purtiy WSe2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type d...

詳細摘要： The first MoWTe2 ternary alloy.