四探針方塊電阻測量儀是為Sheet Resistivity薄層電阻率測量設(shè)計(jì)的四點(diǎn)探針電阻測量儀器,滿足各種材料的薄層電阻率測量,包括IV族半導(dǎo)體、金屬和化合物半導(dǎo)體,以及平板顯示器和硬盤中發(fā)現(xiàn)的新材料。
四探針方塊電阻測量儀使用兩個(gè)電流供應(yīng)和兩個(gè)電壓傳感探針,在各種材料上提供高度準(zhǔn)確和可重復(fù)的薄層電阻率和厚度測量。該
四探針方塊電阻測量儀具有用戶友*的“一鍵式"操作和自動(dòng)校準(zhǔn)功能。能夠在90秒內(nèi)測量50個(gè)位置,測量范圍從1mΩ/sq到800kΩ/sq,***高可達(dá)8E11Ω/sq。
應(yīng)用
P/N型式試驗(yàn),硅襯底,Epi層,SOI,離子注入劑量和均勻性,多晶硅電阻率和厚度,金屬沉積監(jiān)測儀,硅化物工藝監(jiān)測器,離子注入擴(kuò)散,Poly gate過程監(jiān)控器,ITO,金屬,多晶硅、a-Si
四探針方塊電阻測量儀規(guī)格參數(shù)適用晶片尺寸:50、75、100、125、200 mm
測試直徑:距離晶圓邊緣不超過3mm
測量范圍:1mΩ/sq。至800kΩ/平方。或8E9Ω/平方。
測量單位:Ω/平方。,Ω-cm,V/I,μ[T],?[T]
測量重復(fù)精度:<0.2%(典型)
快速檢查:1、5、9個(gè)站點(diǎn)|5、6、9、10、13個(gè)站點(diǎn)ASTM/SEMI|X-圖案或自定義站點(diǎn)
笛卡爾映射:任何站點(diǎn)間隔≥0.1 mm,***多6000個(gè)站點(diǎn)
電子精度:<0.1%(精密電阻器)
當(dāng)前分辨率:16位A/D
測量符合電壓:125V