目錄:科睿設(shè)備有限公司>>半導(dǎo)體材料表征>> Full Deposition PSL Wafer校準(zhǔn)晶圓標(biāo)準(zhǔn)品-半導(dǎo)體表征
污染晶圓標(biāo)準(zhǔn)品、校準(zhǔn)晶圓標(biāo)準(zhǔn)品和二氧化硅顆粒晶圓標(biāo)準(zhǔn)品使用顆粒沉積系統(tǒng)生產(chǎn),該系統(tǒng)將首先使用差分遷移率分析儀(DMA)分析PSL尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。DMA是一種高精度顆粒掃描工具,結(jié)合凝聚態(tài)粒子計數(shù)器和計算機(jī)控制,基于NIST可追溯粒徑校準(zhǔn)分離出高精度粒徑峰。一旦尺寸峰得到驗證,粒度流就被引導(dǎo)到主硅、晶圓標(biāo)準(zhǔn)表面。顆粒在沉積在晶圓表面上之前被計數(shù),通常是在晶圓上全部沉積?;蛘?,可以在晶圓周圍的特定位置沉積多達(dá) 8 個粒徑作為點沉積。晶圓標(biāo)準(zhǔn)品為KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、Surfscan SPx、Tencor 6420、Tencor 6220、Tencor 6200、ADE、Hitachi和Topcon SSIS工具和晶圓檢測系統(tǒng)的尺寸校準(zhǔn)提供高精度的尺寸峰。
PSL球體尺寸標(biāo)準(zhǔn)品和二氧化硅尺寸標(biāo)準(zhǔn)液由差分遷移率分析儀掃描,以確定真正的尺寸峰。一旦分析了尺寸峰,就可以將晶圓標(biāo)準(zhǔn)品沉積為全沉積或點沉積,或多點沉積晶圓標(biāo)準(zhǔn)品。掃描上方100納米(0.1微米)處的二氧化硅尺寸峰,DMA在101nm處檢測到真正的二氧化硅尺寸峰。
全沉積或點沉積晶圓標(biāo)準(zhǔn)品–顆粒沉積系統(tǒng)提供高精度的PSL校準(zhǔn)晶圓標(biāo)準(zhǔn)品和二氧化硅污染晶圓標(biāo)準(zhǔn)品。
我們的 2300 XP1 顆粒沉積系統(tǒng)提供自動顆粒沉積控制,以生成您的 PSL 晶圓標(biāo)準(zhǔn)品和二氧化硅晶圓標(biāo)準(zhǔn)品。
高分辨率、NIST 可追溯的 DMA(差分遷移率分析儀)選型和分類超過了新的 SEMI 標(biāo)準(zhǔn) M52、M53 和 M58 協(xié)議,以實現(xiàn) PSL 尺寸精度和尺寸分布寬度
在 60nm、100nm、269nm 和 900nm 處自動校準(zhǔn)沉積尺寸
先進(jìn)的差動率分析儀(DMA)技術(shù),具有自動溫度和壓力補償功能,可提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和測量精度
自動沉積工藝可在一個晶圓上提供多個點沉積
整個晶圓上的完整晶圓沉積;或在晶圓上的任何位置進(jìn)行點沉積
高靈敏度允許PSL球和二氧化硅顆粒沉積從20nm到2um
沉積二氧化硅顆粒,用于使用高功率激光掃描校準(zhǔn)晶圓檢測系統(tǒng)
存放PSL球體,以便使用低功率激光掃描校準(zhǔn)晶圓檢測系統(tǒng)
將PSL球體和二氧化硅顆粒沉積在主要硅晶圓標(biāo)準(zhǔn)品或150mm光掩模上。
顆粒沉積工具用于在晶圓標(biāo)準(zhǔn)品上沉積非常精確的PSL尺寸標(biāo)準(zhǔn)品或二氧化硅粒徑標(biāo)準(zhǔn)品,以校準(zhǔn)各種晶圓檢測系統(tǒng)。
PSL校準(zhǔn)晶圓標(biāo)準(zhǔn),用于校準(zhǔn)使用低功率激光器掃描晶圓的晶圓檢測系統(tǒng)。
二氧化硅污染晶圓標(biāo)準(zhǔn),用于校準(zhǔn)使用高功率激光器掃描晶圓的晶圓檢測系統(tǒng)。
我們的 2300 XP1 在 75mm 至 300mm 晶圓直徑的硼硅酸鹽掩模和優(yōu)質(zhì)硅上沉積 NIST 可追溯、經(jīng)過認(rèn)證的掩模標(biāo)準(zhǔn)。
125mm 和 150mm 模板上的 PSL 校準(zhǔn)模板標(biāo)準(zhǔn)
150mm口罩上的二氧化硅污染標(biāo)準(zhǔn)
75mm至300mm校準(zhǔn)晶圓標(biāo)準(zhǔn)
75mm至300mm二氧化硅污染晶圓標(biāo)準(zhǔn)
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