一、濕法腐蝕機(jī)用途和特點(diǎn)：1、 用途：主要用微細(xì)加工、半導(dǎo)體、微電子、光電子和納米技術(shù)工藝中在硅片、陶瓷片上顯影，濕法腐蝕，清洗，沖洗，甩干與光刻、烘烤等設(shè)備配合使用。
設(shè)備能滿足各類以下尺寸的基片處理要求，并配制相應(yīng)的托盤夾具。2、濕法腐蝕機(jī)特點(diǎn)：（1）外觀整潔、美觀，占地面積小，節(jié)省超凈間的使用面積；
（2）VoD頂蓋閥門控制技術(shù) 避免二次污染；（3）顯影腐蝕液獨(dú)立的試劑供給管路；（4）處理腔內(nèi)差壓精準(zhǔn)控制；（5）滿足2英寸~8英寸的防腐托盤；
（6）試劑注射角度可調(diào)節(jié)；（7）設(shè)計(jì)的“腔洗"構(gòu)造，保證“干進(jìn)干出"；（8） 濕法腐蝕機(jī)具備高性能、低故障率、長使用壽命、易操作維修、造型美觀、售后服務(wù)完備。
二、工作原理：顯影系統(tǒng)具有可編程閥，它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應(yīng)用的要求重復(fù)進(jìn)行，如沖洗（通常是去離子水或溶劑），然后干燥（通常是氮?dú)猓┑茸詈蟮奶幚聿襟E。
采用此序貫閥門技術(shù)的晶圓片和管道在干燥的環(huán)境中開通和關(guān)閉處理過程。隔離和獨(dú)立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內(nèi)調(diào)節(jié)。勻膠顯影機(jī)還有可選擇的動態(tài)線性或徑向滴膠的特性。
三、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）光刻膠顯影（KrF/ArF）SU8厚膠顯影顯影后清洗PostCMP清洗光罩去膠清洗光刻膠去除金屬Lift-off處理刻蝕微刻蝕處理
四、主要技術(shù)參數(shù)：1. 系統(tǒng)概述1.1智能嵌鎖，系統(tǒng)蓋板具有智能嵌鎖裝置，確保操作安全；1.2保護(hù)氣體，CDA（清潔干燥氣體）/氮?dú)猓∟2）,氣壓60~70PSI；1.3通信接口，藍(lán)牙連接；
2. 基片及處理方式2.1 基片尺寸滿足直徑200mm以內(nèi)基底材料；2.2 基片處理方式，手動上下載；3. 控制系統(tǒng)3.1 用戶界面，650高精度數(shù)顯屏/基于Windows的SPIN3000操作軟件；
3.2 最大可存儲20個程序段；3.3 最大51 驟工藝步驟；3.4時(shí)間設(shè)定范圍，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；3.5最大旋轉(zhuǎn)速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (帶安全罩)；3.6馬達(dá)加速度，
1–12,000 rpm/s ；4. 試劑分配系統(tǒng)4.1 化學(xué)試劑分配4.1.1 A標(biāo)準(zhǔn)腔洗 Bowl Wash 1路純水和1路氮?dú)猓?.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路純水；4.1.3 C 樣片沖洗甩干1路純水和1路氮?dú)猓?/span>
4.1.4 D 自定義化學(xué)試劑可同時(shí)接入（根據(jù)用戶應(yīng)用選擇幾路液體）自定義的化學(xué)試劑（顯影液/腐蝕液/其他清洗液）；4.2試劑供給方式*4.2.1 A 系統(tǒng)所需純水和氮?dú)庖约皦嚎s氣體（可用氮?dú)馓娲┯蓪?shí)驗(yàn)室自行供應(yīng)；
4.2.2 B 自定義化學(xué)試劑由氣動泵浦BP和壓力容器供給；4.3 注射裝置采用日本的池內(nèi)專用噴嘴；
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