SXUV極紫外光電二極管，極紫外光探測(cè)理想選擇

SXUV100極紫外光電二極管具有單個(gè)有效區(qū)域、檢測(cè)范圍達(dá)1nm、暴露在極紫外/紫外條件下仍能穩(wěn)定響應(yīng)、保護(hù)蓋板。SXUV100極紫外光電探測(cè)器有效面積是100mm²，在1-1000nm下光子的響應(yīng)度是0.04-0.34A/W。電容隨著電壓的增加而降低最后達(dá)到最小1000pF，暗電流隨著電壓的增大而增大。Opto Diode極紫外光電二極管，探測(cè)理想選擇

Optodiode極紫外增強(qiáng)型光電二極管SXUV20C在1nm到200nm波長(zhǎng)有的響應(yīng)。它是專門設(shè)計(jì)為很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定暴露在高強(qiáng)度EUV能量。20mm2的圓形活動(dòng)區(qū)域提供了一個(gè)實(shí)質(zhì)性的表面便于對(duì)準(zhǔn)EUV激光。SXUV20C在紫外線環(huán)境中具有較高的輻射硬度，比SXUV20HS1極紫外光電探測(cè)器更低的噪音。此外SXUV20C極紫外光電探測(cè)器具有高光子通量魯棒性，整體響應(yīng)度更高。

Opto Diode極紫外光電二極管SXUV20HS1是一個(gè)圓形的活動(dòng)區(qū)域，是極紫外探測(cè)的理想選擇，網(wǎng)格線5微米，間距100微米，同時(shí)具有的輻射硬度。Optodiode極紫外增強(qiáng)型光電二極管SXUV20HS1在Vr=150V測(cè)試條件下，暗電流的最大值是100nA。在VR=0V測(cè)試條件下，SXUV光電探測(cè)器SXUV20HS1電容的典型值是500pF，最大值是1500pF。

Opto Diode極紫外光電二極管SXUV300C是矩形活動(dòng)區(qū)，在EUV曝光后有優(yōu)異穩(wěn)定性，響應(yīng)度為1nm的無(wú)窗封裝，陶瓷包裝。Opto Diode極紫外增強(qiáng)型光電二極管SXUV300C有效面積是331mm²，在IR=1µA測(cè)試條件下，反向擊穿電壓典型值是25V。

SXUV光電探測(cè)器SXUV5是一個(gè)圓形的活動(dòng)區(qū)域，在EUV曝光后有優(yōu)異穩(wěn)定性，TO-5封裝，響應(yīng)度為1nm的無(wú)窗封裝。SXUV光電探測(cè)器SXUV5有效區(qū)域是5mm²，在IR=1µA測(cè)試條件下，反向擊穿電壓典型值是20V，最小值是5V。

Optodiode極紫外增強(qiáng)型光電二極管特點(diǎn)：

-極紫外光探測(cè)的理想選擇

-有效面積5-331mm2

-防護(hù)罩板

-TO-8、TO-5、陶瓷封裝

Opto Diode極紫外光電二極管應(yīng)用：

       -半導(dǎo)體設(shè)備制造，測(cè)試和測(cè)量

       -醫(yī)療、軍事和國(guó)防

       -工業(yè)

-生物技術(shù)

       -非常特殊的科學(xué)應(yīng)用

SXUV極紫外光電二極管型號(hào)

SXUV極紫外光電二極管具有13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的紫外曝光下具有穩(wěn)定的響應(yīng)度，是極紫外光測(cè)量的理想選擇。

Opto Diode極紫外光電二極管，探測(cè)理想選擇