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        1. 深圳維爾克斯光電有限公司
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          OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

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          廠商性質(zhì)代理商

          所  在  地深圳市

          更新時(shí)間:2024-09-05 17:19:56瀏覽次數(shù):141次

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          OSI InGaAs光電二極管可以用于檢測近紅外700-1700nm光的半導(dǎo)體器件,適用于多種應(yīng)用。OSI InGaAs光電二極管又可以稱為OSI InGaAs光電探測器和InGaAs光電二極管。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

          OSI InGaAs光電二極管,700nm-1700nm

          OSI InGaAs光電二極管是用于檢測近紅外(700nm-1700nm波長)光的半導(dǎo)體器件。OSI Optoelectronics已經(jīng)開發(fā)了各種各樣的設(shè)備,適用于該頻譜范圍內(nèi)的大量應(yīng)用,如:背面檢測、功率監(jiān)測、DWDM組件、OTDR測量等。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

          OSI Optoelectronics的10Gbps光電二極管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件,具有低暗電流和良好的性能穩(wěn)定性。FCI-InGaAs-36C暗電流是0.5nA,電容是0.16pF,在1310nm處的響應(yīng)度是0.85A/W,芯片大小是450x250μm,有效面積是36μm。

          陽極和陰極觸點(diǎn)均位于芯片頂面。OSI銦鎵砷光電二極管FCI-InGaAs-36C10Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的理想元件、它的光譜范圍從910nm1650nm。

          OSI Optoelectronics的最新產(chǎn)品系列包括超低反射率光電二極管。該InGaAs/InP光電二極管專為電信應(yīng)用而設(shè)計(jì),在1520nm1620nm波長范圍內(nèi)的典型光學(xué)反射率低于0.6%。通過在InGaAs/InP光電二極管表面直接沉積專有的多層抗反射涂層,實(shí)現(xiàn)了在寬波長范圍內(nèi)的超低反射率。

          型號

          暗電流

          電容

          帶寬

          有效區(qū)域

          FCI-InGaAs-36C

          0.5nA

          0.16pF

          9GHz

          ?36µm

          FCI-InGaAs-WCER-LR

          1nA

          15pF

          /

          250x500µm

          OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


          OSI銦鎵砷光電二極管陣列型號

          FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光電二極管陣列。它們的標(biāo)準(zhǔn)配置是有源面積為300um48元陣列。背照式InGaAs光電二極管陣列可倒裝到光學(xué)平面上,用于正面或背面照明。它們可以采用傳統(tǒng)安裝方式(有源區(qū)朝上),也可以朝下組裝,從而最大限度地減小整體尺寸。這些低電感、低暗電流和低電容背照式光電二極管陣列可使用或不使用陶瓷基板。

          FCI-InGaAs-XXM系列是線性陣列光電二極管,具有4、81216個(gè)陣列,是OSI光電高速紅外敏感OSI InGaAs光電探測器陣列的一部分。每個(gè)AR涂層的元素是能夠2.5Gbps的數(shù)據(jù)速率表現(xiàn)出從1100納米到1620納的高響應(yīng)性。

          型號

          暗電流

          電容

          帶寬

          有效區(qū)域

          元素陣列

          FCI-InGaAs-300B1

          0.05nA

          8pF

          100MHz

          ?300µm

          1

          FCI-InGaAs-300B1x4

          0.05nA

          8pF

          100MHz

          ?300µm

          4

          FCI-InGaAs-300B1x8

          0.05nA

          8pF

          100MHz

          ?300µm

          8

          FCI-InGaAs-4M

          0.03nA

          0.65pF

          2GHz

          ?70µm

          4

          FCI-InGaAs-8M

          0.03nA

          0.65pF

          2GHz

          ?70µm

          8

          FCI-InGaAs-12M

          0.03nA

          0.65pF

          2GHz

          ?70µm

          12

          FCI-InGaAs-16M

          0.03nA

          0.65pF

          2GHz

          ?70µm

          16

          檢測器放大器混合

          FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了寬動態(tài)范圍跨阻放大器的緊湊型高速OSI InGaAs光電探測器。將探測器和跨阻放大器集成在一個(gè)密封的4引腳TO-46封裝中,為高速信號放大提供了理想的條件。高速度和高靈敏度使這些器件成為局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想選擇。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列還提供FCSC、STSMA插座。

          型號

          可供電壓

          可供電流

          工作波長

          輸出阻抗

          有效區(qū)域直徑

          FCI-H125G-InGaAs-75

          3-5.5V

          26mA

          1100-1650nm

          50Ω

          75μm

          FCI-H250G-InGaAs-75

          3-5.5V

          35mA

          1100-1650nm

          50Ω

          75μm

          FCI-H622M-InGaAs-75

          3-3.6V

          22mA

          1100-1650nm

          75Ω

          75μm

          高速光電二極管

          FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm500μm的活動區(qū)域尺寸,具有數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用所需的特性。這些器件在1100納米到1620納米范圍內(nèi)具有低電容、低暗電流和高響應(yīng)度的特點(diǎn),是局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想之選。光電二極管封裝在3鉛隔離的TO-46罐或與AR涂層的平面窗口或微透鏡,以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列還提供FCSC、STSMA插座。

          型號

          暗電流

          電容

          上升時(shí)間

          有效區(qū)域

          FCI-InGaAs-75

          0.03nA

          1.5pF

          0.2ns

          ?75µm

          FCI-InGaAs-120

          0.05nA

          2pF

          0.3ns

          ?120µm

          FCI-InGaAs-300

          0.30nA

          10pF

          1.5ns

          ?300µm

          FCI-InGaAs-500

          0.5nA

          20pF

          10ns

          ?500µm

          OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


          大面積光電二極管

          FCI-InGaAs-XXX-X系列有源區(qū)尺寸分別為1mm、1.5mm3mm,是OSI Optoelectronics大有源區(qū)紅外敏感探測器的一部分,在1100nm1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,對微弱信號具有很高的靈敏度。這些大有源區(qū)器件非常適合用于紅外儀器和監(jiān)控應(yīng)用。

          型號

          分流電阻

          電容

          有效區(qū)域直徑

          FCI-InGaAS-1000-X

          30MΩ

          80pF

          1mm

          FCI-InGaAs-1500-X

          20MΩ

          200pF

          1.5mm

          FCI-InGaAs-3000-X

          20MΩ

          750pF

          3mm


          監(jiān)視器光電二極管

          OSI Optoelectronics提供廣泛的InGaAs監(jiān)視器光電二極管。它們具有70um120um,300um,500 um的有效面積,是安裝在金屬化陶瓷基板上的監(jiān)控器光電二極管系列的一部分。這些緊湊的組件設(shè)計(jì)為易于集成。

          型號

          暗電流

          電容

          上升時(shí)間

          反向電壓(最大值)

          有效區(qū)域直徑

          封裝

          FCI-InGaAs-75-WCER

          0.03nA

          0.65pF

          0.2ns

          20V

          75μm

          環(huán)繞式無鉛陶瓷

          FCI-InGaAs-120-WCER

          0.05nA

          1pF

          0.3ns

          20V

          120μm

          FCI-InGaAs-300-WCER

          0.3nA

          10pF

          1.5ns

          15V

          300μm

          FCI-InGaAs-500-WCER

          0.5nA

          20pF

          10ns

          15V

          500μm

          FCI-InGaAs-75-ACER

          0.03nA

          0.65pF

          0.2ns

          20V

          75μm

          楔形無鉛陶瓷

          FCI-InGaAs-120-ACER

          0.05nA

          1pF

          0.2ns

          20V

          120μm

          FCI-InGaAs-300-ACER

          0.3nA

          10pF

          1.5ns

          15V

          300μm

          FCI-InGaAs-500-ACER

          0.5nA

          20pF

          10ns

          15V

          500μm

          FCI-InGaAs-75-LCER

          0.03nA

          0.65pF

          0.2ns

          20V

          75μm

          帶兩條水平導(dǎo)線的腔體陶瓷

          FCI-InGaAs-120-LCER

          0.05nA

          1pF

          0.3ns

          20V

          120μm

          FCI-InGaAs-300-LCER

          0.3nA

          10pF

          1.5ns

          15V

          300μm

          FCI-InGaAs-75-CCER

          0.03nA

          0.65pF

          0.2ns

          20V

          75μm

          FCI-InGaAs-120-CCER

          0.05nA

          1pF

          0.3ns

          20V

          120μm

          FCI-InGaAs-300-CCER

          0.3nA

          10pF

          1.5ns

          15V

          300μm

          FCI-InGaAs-500-CCER

          0.5nA

          20pF

          10ns

          15V

          500μm


          OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


          尾纖光電二極管組件

          FCI-InGaAs-XX-XX-XX 有源面積為75um120um,屬于OSI Optoelectronics的高速紅外敏感探測器系列,采用光纖尾纖封裝。單模/多模光纖與TO-46透鏡蓋封裝的密封OSI InGaAs光電二極管光學(xué)對準(zhǔn),提高了耦合效率和穩(wěn)定性。

          型號

          暗電流

          電容

          上升時(shí)間

          有效區(qū)域直徑

          FCI-InGaAs-70-XX-XX

          0.03nA

          0.65pF

          0.2ns

          75μm

          FCI-InGaAs-120-XX-XX

          0.05nA

          1pF

          0.3ns

          120μm

          FCI-InGaAs-70C-XX-XX

          0.03nA

          0.65pF

          0.2ns

          75μm

          FCI-InGaAs-120C-XX-XX

          0.05nA

          1pF

          0.3ns

          120μm

          OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


          四象限InGaAs光電二極管

          FCI-InGaAs-QXXX系列是有效面積大OSI InGaAs光電探測器,分為四個(gè)獨(dú)立的有效區(qū)域。這些光電二極管在1毫米和3毫米的有源區(qū)直徑。InGaAs系列具有高響應(yīng)性、高均勻性和元件之間的低串?dāng)_是精確調(diào)零或?qū)χ行膽?yīng)用以及光束輪廓分析應(yīng)用的理想選擇。它們在1100nm1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,并且在時(shí)間和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定,響應(yīng)時(shí)間快,適合高速或脈沖操作。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

          暗電流

          串音

          上升時(shí)間

          有效區(qū)域直徑

          元素差距

          0.5nA

          1%

          3ns

          1000μm

          0.045mm

          2nA

          1%

          24ns

          3000μm

          0.045mm


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