DHHM-S容器瓷套絕緣子灰密度測(cè)試儀又稱(chēng)絕緣子灰密測(cè)試儀專(zhuān)為測(cè)量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì)，包含快速過(guò)濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測(cè)量附件等部分,快速過(guò)濾裝置精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面，美觀(guān)簡(jiǎn)潔；

DHHM-S容器瓷套絕緣子灰密度測(cè)試儀

絕緣子灰密測(cè)量裝置適用于高線(xiàn)架空線(xiàn)路、發(fā)電廠(chǎng)、變電所等場(chǎng)所外絕緣設(shè)備污垢測(cè)試，絕緣子灰密測(cè)量裝置又稱(chēng)絕緣子灰密測(cè)試儀專(zhuān)為測(cè)量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì)，包含快速過(guò)濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測(cè)量附件等部分,快速過(guò)濾裝置精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面，美觀(guān)簡(jiǎn)潔；絕緣子灰密度測(cè)試儀配套的灰密測(cè)量分析軟件；絕緣子灰密測(cè)試儀采用多抽頭，操作便捷。

絕緣子灰密測(cè)量裝置標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù)規(guī)范：GB/T5582-1993

DHHM-H絕緣子灰密測(cè)量裝置又稱(chēng)絕緣子灰密測(cè)量裝置，絕緣子灰密測(cè)量裝置專(zhuān)為測(cè)量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì)，絕緣子灰密測(cè)量裝置的主要功能是測(cè)量絕緣子灰密度的值，用戶(hù)據(jù)此判斷絕緣子的污穢程度。用戶(hù)需要根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定絕緣子表面積、溶液體積等參數(shù)。絕緣子灰密測(cè)量裝置遵照多種標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和要求，絕緣子灰密測(cè)量裝置適用于高線(xiàn)架空線(xiàn)路、發(fā)電廠(chǎng)、變電所等場(chǎng)所外絕緣設(shè)備的灰密度測(cè)試。絕緣子灰密測(cè)量裝置包含快速過(guò)濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測(cè)量附件等部分：

1、快速過(guò)濾裝置：精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面，美觀(guān)簡(jiǎn)潔；配套絕緣子灰密測(cè)量裝置軟件；采用多抽頭，操作便捷。

2、精密電子電平：具有數(shù)字化多點(diǎn)線(xiàn)性修正和多點(diǎn)漂移修正功能。具有多種測(cè)量模式供選擇；能開(kāi)機(jī)自檢、外部校準(zhǔn)、自動(dòng)屏保；采用全透明密封罩制作，外形美觀(guān)，使用方便。

3、恒溫干燥箱：具有溫度自整定、智能控制功能?？杀３窒鋬?nèi)恒溫；工作室采用"冷熱空氣對(duì)流"技術(shù)，保證箱內(nèi)空氣自動(dòng)變換；具有大玻璃示窗、數(shù)碼管顯示，便于觀(guān)察和操作；多層擱版，可一次性干燥多個(gè)試品。

DHHM-S容器瓷套絕緣子灰密度測(cè)試儀標(biāo)準(zhǔn)

1、Q/GDW152—2006《高壓架空線(xiàn)路和變電站環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
2、GB/T16434—200*《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
3、GB/T4585-2004/IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢實(shí)驗(yàn)》
4、GB/T5582-93《高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級(jí)》
5、IEC60815-2004

參數(shù)

型號(hào)：DHHM-H
名稱(chēng)：絕緣子灰密測(cè)量裝置
絕緣子灰密測(cè)量裝置參數(shù)	快速過(guò)濾裝置	精密電子天平	恒溫干燥箱
電源	AC220V ±10％ 50Hz	AC220V ±10％ 50Hz	AC220V ±10％ 50Hz
功率	180W	≤ 15W	≤ 600W
測(cè)量范圍	泵排量：90L/min；   單嘴抽氣率：10L/min	稱(chēng)量范圍：0~200g	控溫范圍：5℃～250℃
精度	/	0.1mg	1℃
環(huán)境溫度	0～50℃	0～50℃	0～50℃
體積	400mm×285mm×420mm	350mm×215mm×340mm	520mm×320mm×430mm
重量	約5Kg	約6.8Kg	約20Kg

術(shù)語(yǔ)解釋

灰密度（NSDD）: 絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物除以表面積，一般表示為mg/ 。
附鹽密度（SDD）：人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上的氯化鈉總量除以表面積，一般表示為mg/ 。
等值附鹽密度（ESDD）：絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，一般表示為mg/ 。
爬電距離：在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的zui短距離。
統(tǒng)一爬電距離（USCD）：絕緣子的爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與 的積，一般表示為mm/kV。
污穢層: 由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導(dǎo)電電解層。
現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí)：將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS（ESDD/NSDD的zui大值）的分級(jí)。