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更新時(shí)間:2024-11-22 11:48:23瀏覽次數(shù):2650評(píng)價(jià)
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使用切片方式制備像紙張、纖維等軟材料截面樣品,容易使樣品變形錯(cuò)位;機(jī)械拋光處理的樣品表面經(jīng)常也會(huì)留下劃痕、污染和表面應(yīng)力,對(duì)樣品的形貌觀察和結(jié)構(gòu)分析帶來(lái)不利影響。日立新推出的IM4000離子研磨儀既可以對(duì)樣品進(jìn)行氬離子截面切割,可以進(jìn)行氬離子平面研磨,是截面樣品制備和平面樣品無(wú)應(yīng)力拋光的理想工具。IM4000日立高新離子研磨裝置
日立高新離子研磨裝置IM4000具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器!
日立高新離子研磨裝置IM4000的混合模式帶有兩種研磨配置:
斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像。
平面研磨:將樣品表面均勻研磨5平方毫米,從不同角度有選擇地研磨,以便突出樣品的表面特性。
日立高新離子研磨裝置IM4000的高通量能提高加工效率:
與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間。(zui大加工率:硅元素為300微米/小時(shí) — 加工時(shí)間減少了66%。
日立高新離子研磨裝置IM4000的可拆卸樣品臺(tái)裝置:為便于樣品設(shè)置和定義研磨邊緣,可將樣品臺(tái)裝置拆卸。
特點(diǎn) IM4000日立高新離子研磨裝置
混合模式:兩種研磨配置
斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面高分辨觀察
平面研磨:不同角度有選擇地,大面積,均勻地研磨5 mm的平面,以突顯樣品的表面特性
高效:提高加工效率
與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間
(zui大加工速度:硅材質(zhì)為300 μm/h - 加工時(shí)間減少了66%)
可拆卸式樣品臺(tái):
為便于樣品設(shè)置和邊緣研磨,樣品臺(tái)設(shè)計(jì)為可拆卸型
項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
平面研磨 | 截面研磨 | |
使用氣體 | 氬氣 | |
加速電壓 | 0 ~ 6 kV | |
zui大加工速率(材料Si) | 約20 m/h*1 約2 m/h*2 | 約300 m/h*3 |
zui大樣品尺寸 | φ50×25(H)mm | 20(W)×12(D)×7(H)mm |
樣品移動(dòng)范圍 | X : 0 ~ +5 mm | X :±7 mm、Y : 0 ~ +3 mm |
旋轉(zhuǎn)速度 | 1 r/min、 25 r/min | - |
擺動(dòng)角度 | ±60°、±90° | ±15°、±30°、±40° |
傾斜角度 | 0~90° | - |
氬氣(Ar)流量控制方式 | 質(zhì)量流量計(jì)(Mass Flow Controller) | |
真空系統(tǒng) | 渦輪分子泵(33 L/s)+機(jī)械泵(135 L/min(50 Hz)、162 L/min(60 Hz)) | |
裝置尺寸 | 616(W)×705(D)×312(H)mm | |
重量 | 主機(jī)48 kg+機(jī)械泵28 kg | |
選配 | ||
加工觀測(cè)用顯微鏡 | 倍率 :15× ~ 100× 雙目型、三目型(可加裝CCD) | |
真空轉(zhuǎn)移盒單元 | 旋蓋式(O形圈密封)密閉樣品,樣品倉(cāng)內(nèi)打開旋蓋 | |
冷卻系統(tǒng)*4 | 使用液氮間接冷卻樣品 ;冷卻Mask溫度 :-30℃以下*5 ;配有恢復(fù)到室溫的控制器 |
*1 :照射角 0° 偏心量 0 mm?。? :照射角 60° 偏心量 4 mm ?。? :Si片突出遮擋板(Mask)邊緣100 m加工時(shí)的zui大深度 ?。? :不能后裝,需出廠時(shí)配置 ?。? :加入液氮30分鐘后遮擋板(Mask)的溫度
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)