目錄:束蘊儀器（上海）有限公司>>MDP>> Freiberg-MDPictsMDP微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 電子,冶金,航天,汽車,電氣 |
?產(chǎn)品介紹
德國Freiberg Instruments的MDPicts（MDP微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。MDpicts（MDP微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)將在半導體材料的基礎研究與開發(fā)領域取得廣泛的應用。
?設備特點
--靈敏度：對半導體材料電學缺陷有非常高的靈敏度
--溫度范圍：液氮(77k)至500k?？蛇x:液氦(4k)或更高溫度
--衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
--沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入 水平影響的少子壽命參數(shù)等
--重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
--靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
--可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術(shù)支持
圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)
圖2. 不同缺陷的評價
從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能
圖3.Arrhenius曲線圖
利用這種新型MDPpicts設備，可在20~500k范圍內(nèi)測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導。
Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導體材料已成功采用了這種方法進行研究。
圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜
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