放開BERTHOLD檢測儀ST1500550V

BERTHOLD    LT-17023
BERTHOLD    LX/LSH-273014
BERTHOLD    LX/LSHH-273016
BERTHOLD    LX/LSL-273013
BERTHOLD    LX/LSLL-273010
BERTHOLD    LX/LSLL-273019
BERTHOLD    LX/LSLL-273021
BERTHOLD    LX/LSLL-273023
BERTHOLD    LX/LT-273011
BERTHOLD    LX/LT-273015
BERTHOLD    LX/LT-273022
BERTHOLD    LX/LT-273024
BERTHOLD    M B 65 C-0.2W
BERTHOLD    M/N:LB440-11 Id.:40441-11
BERTHOLD    MICRO-POLAR BRIX~TM LB565
BERTHOLD    MN3D-5000A 帶USB接口
BERTHOLD    MODEL:LB490 with HART
BERTHOLD    Multiplier for rod detector
BERTHOLD    NaJ/TI 50*50 cpl
BERTHOLD    NO:30366 配:LB5441-02上用
BERTHOLD    P/N:41441 夾緊裝置
BERTHOLD    P/N:41765 夾緊裝置
BERTHOLD    P/N：B18640723
BERTHOLD    Photomultiplier XP 3240/B02
BERTHOLD    PHREX-2便攜式PH計
BERTHOLD    PN34518(LB6639W-CSJ-40/50)
BERTHOLD    Point Source Isotope Cs-137
BERTHOLD    Point source shielding d=150
BERTHOLD    PREAMP 訂貨號：40822
BERTHOLD    PUMPEN-BERTHOLD STR.1009113
BERTHOLD    R1/4 SNR:21326
BERTHOLD    Rod detector shielding,CP1
BERTHOLD    Rod detector: nominal length
BERTHOLD    SER.NO:2439
BERTHOLD    set of fastening clamps
BERTHOLD    SIRIUS  單機(jī)
BERTHOLD    SIRIUS  單機(jī)配件
BERTHOLD    SPGU 85/65/1.4571
BERTHOLD    SSC-SRD-02
BERTHOLD    SSC-SRD-02附連接件配套鋼繩
BERTHOLD    SZ-5-L3/50
BERTHOLD    SZ5-L3-50/50
BERTHOLD    TowerSens Electronic Block
BERTHOLD    TYPE:81036/LB  3961-1
BERTHOLD    Type:TOL/F
BERTHOLD    UNI-PROBE  LB 490-51
BERTHOLD    XP3240/B02
BERTHOLD    XRM65P40X2433
BERTHOLD    LB4710-180
BERTHOLD    探測器 LB5441-03
BERTHOLD    型號 38477-151,探針LB-490
BERTHOLD    型號38477-121, 探針LB-490
BERTHOLD    型號38477-171, 探針LB-490
BERTHOLD    液面檢測LB352-2
BERTHOLD    液面檢測LB367
BERTHOLD    接收器LB6639W
BERTHOLD    LB6639W-BGO-5M ID-81637-08

放開BERTHOLD檢測儀ST1500550V

量子點(diǎn)紅外探測器 編輯
量子點(diǎn)紅外探測器（QDIP）在紅外探測領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景,同時由于QDIP的有效載流子壽命長、暗電流低、工作溫度高、對垂直入射光響應(yīng)等優(yōu)勢,近年來高性能QDIP已經(jīng)成為研究的熱點(diǎn)。
中文名 量子點(diǎn)紅外探測器 類    別 儀器 類    型 紅外探測器 對    象 量子點(diǎn)
目錄
1 量子點(diǎn)材料生長
2 QDIP 的主要結(jié)構(gòu)
? 簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
? 引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
? 引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)
? Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
? InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
3 QDIP 的測試
量子點(diǎn)材料生長編輯
量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的生長技術(shù)是QDIP研究的基礎(chǔ)。低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的發(fā)展很大程度上依賴于材料良好生長技術(shù)（分子束外延技術(shù)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積技術(shù)等）和精細(xì)加工工藝（聚焦電子、離子束和X射線光刻技術(shù)等）的進(jìn)步。上個世紀(jì)90年代，人們開發(fā)了損傷的低維半導(dǎo)體材料的制備方法，就是利用不同材料的晶格失配而產(chǎn)生的應(yīng)力，通過Stranski-Krastanow(S-K)生長模式來獲得缺陷、位錯和尺寸均勻的量子點(diǎn)，即所謂的自組織生長量子點(diǎn)的方法。這為制備滿足器件要求的量子結(jié)構(gòu)帶來了希望。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人們又提出了很多新的制備方法。其中包括：（a）在部分掩膜襯底上原位生長量子點(diǎn)（由于掩膜受光刻精度的限制，所以降低了人們對此工藝的興趣）；（b）采用偏向襯底或高指數(shù)面襯底，一定晶向的襯底提供的橫向周期性將會影響吸附原子的生長動力學(xué)過程從而導(dǎo)致不同的應(yīng)力弛豫機(jī)制；高指數(shù)面的表面再構(gòu)可使量子點(diǎn)的空間分布有序化。這兩種方法的難點(diǎn)是器件后期工藝要求特殊控制。（c）應(yīng)力緩沖層法，先在襯底上生長適當(dāng)厚度的應(yīng)力緩沖層后，再生長量子點(diǎn)。由于應(yīng)力緩沖層的引入改變了應(yīng)力場的分布，使量子點(diǎn)形成于富In區(qū)或凸起點(diǎn)的上方。從外延生長的角度來分，共有三種生長模式：層狀生長，即FM模式；島狀生長，即VM模式；層狀加島狀生長，即S-K模式。不同的生長模式主要由表面能、界面能和晶格失配度的大小確定的。（1）若失配度較小且外延層表面能和界面能之和小于襯底的表面能，則外延生長為層狀的FM模式；（2）若失配度較大且外延層的表面能與界面能之和大于襯底的表面能，則外延生長為島狀的VW模式；（3）當(dāng)外延層的表面能與界面能之和，在開始時小于襯底的表面能，則外延層初始為2D層狀生長（浸潤層），隨著浸潤層厚度的增加，體系的應(yīng)變能也在增加，當(dāng)浸潤層厚度達(dá)到一臨界值時，則由平面生長轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長，即形成量子點(diǎn)。這時，應(yīng)變發(fā)生弛豫，應(yīng)變能減小，表面能增加，總能量減小，這就是S-K生長模式。所以說量子點(diǎn)的形成是應(yīng)變能弛豫的一種方式，用這種方法可以獲得位錯、尺寸較均勻的量子點(diǎn)，即所謂的自組織量子點(diǎn)。
QDIP 的主要結(jié)構(gòu)編輯
簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)是QDIP 研究初期常見的一種結(jié)構(gòu)，它的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，生長操作容易，理論基礎(chǔ)豐富，經(jīng)常用于QDIP 理論的實驗論證。缺點(diǎn)是受帶隙的影響，探測率很難得到繼續(xù)提高。目前，這一結(jié)構(gòu)的
QDIP 的探測率不超過1010 cmHz1/2W-1，探測波長一般在4~13 μm 范圍內(nèi)。
引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
引入AlGaAs 暗電流阻擋層結(jié)構(gòu)是InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)的改進(jìn)型，它的理論基礎(chǔ)是AlGaAs 阻擋層對暗電流的阻擋效果大于對光電流的阻擋效果。如果設(shè)計得當(dāng)，AlGaAs 阻擋層確實可以起到減小暗電流同時對光電流也影響不大的效果，但是由于暗電流和光電流具有相同的電子躍遷通道，所以一般情況下是很難使兩種效果同時達(dá)到的。
引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)
引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)主要研究單位是南加州大學(xué)。引入InGaAs 應(yīng)力緩解層有兩個好處，一方面，引入InGaAs 應(yīng)力緩解層可以有效減小量子點(diǎn)和隔離層的內(nèi)部應(yīng)力，減少了缺陷，提高了晶體質(zhì)量，從而可以增加光電響應(yīng)；另一方面，在量子點(diǎn)上面覆蓋一層InGaAs 等于是在量子點(diǎn)的一側(cè)插入一個量子阱，該量子阱不但可以降低量子點(diǎn)內(nèi)激發(fā)態(tài)的能量，從而降InAs 低暗電流，而且還可以為電子提供量子阱內(nèi)的電子能級，電子可以從量子點(diǎn)內(nèi)的能級先躍遷到量子阱內(nèi)，然后隧穿出隔離層形成光電流。
Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
DWELL 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國新墨西哥大學(xué)。DWELL 結(jié)構(gòu)紅外探測器是目前研究的比較有前景的一類。DWELL 結(jié)構(gòu)兩個優(yōu)點(diǎn)：一是通過引入量子阱可以降低量子點(diǎn)內(nèi)電子的能級，從而降低暗電流，二是通過改變量子阱的寬度和量子點(diǎn)在量子阱內(nèi)的不對稱性可以方便地調(diào)節(jié)響應(yīng)波長。本文在這些研究基礎(chǔ)上進(jìn)一步研究了該結(jié)構(gòu)的器件性能和理論模擬方法。
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國西北大學(xué)。InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)QDIP 目前具有QDIP 中的最高探測率，而且也實現(xiàn)了FPA的紅外成像。由于InAs 和InGaP 具有較大的導(dǎo)帶差，所以電子從量子點(diǎn)內(nèi)的束縛態(tài)躍遷到隔離層的連續(xù)態(tài)需要很大的能量，所以該類型探測器具有近紅外和中紅外的探測波長，同時熱激發(fā)電子導(dǎo)致的暗電流也很小，這造成了該探測器具有高的近、中紅外探測率。
QDIP 的測試編輯
光致發(fā)光譜或光熒光（PL）是研究QDIP的基礎(chǔ)手段之一。在說明PL測試之前，先需要說明傅立葉光譜儀的測試原理。邁克爾遜干涉儀是現(xiàn)代傅里葉變換光譜儀的核心部件，它是一種振幅分割的雙光束干涉系統(tǒng)，如圖2.4所示，具有以下特點(diǎn)：兩光束的光程差易于改變；光路中使用分光板，入射光的一半經(jīng)固定鏡，另一半經(jīng)運(yùn)動鏡反射；環(huán)狀干涉條紋一直延伸到窮遠(yuǎn)處；等厚干涉條紋則是由于兩個鏡子間的光學(xué)聯(lián)系引起的，在調(diào)節(jié)儀器時必須注意到這兩種干涉條紋。根據(jù)邁克爾遜干涉儀運(yùn)動鏡的移動（即光程差），我們就可獲得干涉圖，然后經(jīng)傅立葉變換，就得到了我們所看到的光譜分布。同時，我們還可以看到得到的光譜分還只與光的調(diào)制部分有關(guān)，與不發(fā)生調(diào)制的部分關(guān)。半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光主要是指輻射復(fù)合光發(fā)射，它是除熱平衡的黑體輻射以外的第部分光輻射，是光吸收過程的逆效應(yīng)。光吸收（或稱光激發(fā)）導(dǎo)致的光發(fā)射常稱為光致發(fā)光或光熒光（PL），其測量原理是：當(dāng)激發(fā)光源發(fā)出hv > Eg 的光照射到被測樣品表面時，由于激發(fā)光在材料中的吸收系數(shù)很大（通常大于104 cm-1），通過本征吸收，在材料表面約1 μm以內(nèi)的區(qū)域里激發(fā)產(chǎn)生大量的電子－空穴對，使樣品處于非平衡態(tài)。這些非平衡載流子一邊向體內(nèi)擴(kuò)散，一邊發(fā)生復(fù)合。通過擴(kuò)散，發(fā)光區(qū)將擴(kuò)
展到深入體內(nèi)約一個少子擴(kuò)散長度的距離。電子－空穴對通過不同的復(fù)合機(jī)構(gòu)進(jìn)行復(fù)合，其中的輻射復(fù)合就發(fā)出疊加在熱平衡輻射上的光發(fā)射，稱為熒光。熒光在逸出表面之前會受到樣品本身的自吸收。熒光逸出表面之后，會聚進(jìn)入單色儀分光，此后經(jīng)探測器接收轉(zhuǎn)變成電信號并進(jìn)行放大和記錄，從而得到發(fā)光強(qiáng)度按光子能量分布的曲線，即光致發(fā)光譜。

有政策支持，大川合作社有了發(fā)展壯大的底氣，今年他們又購買了2架植保飛機(jī)、2臺高空噴藥機(jī)?！昂献魃绗F(xiàn)有各種農(nóng)機(jī)具57套，其中大部分是大型機(jī)械，具備規(guī)?；鳂I(yè)能力。"孫大川說，合作社今年經(jīng)營托管土地270公頃，在完成自家作業(yè)的同時，還開展機(jī)械對外作業(yè)800多公頃。