從輩份講，2002是小字輩的，因?yàn)樯a(chǎn)年代比較晚，大約是2000年。當(dāng)然，晚出有，因?yàn)榭梢詤⒄談e人的成熟技術(shù)，采用新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和元件。

外觀上看，與自己的2000六位半、2001七位半同樣大小，半寬，這在8位半里。別的八位半都是標(biāo)準(zhǔn)寬度。

指標(biāo)上看，基本檔24小時(shí)1.2ppm，明顯不如主流8位半的0.5ppm，當(dāng)然1年指標(biāo)10ppm也不算很差。電阻基本檔1年9ppm，很不錯(cuò)了，甚至比電壓檔的指標(biāo)還好，這很少見(jiàn)。尤其是2年指標(biāo)11ppm，更是少有。

溫度系數(shù)做的還不錯(cuò)，2V檔0.2ppm/C，20V檔0.3ppm/C，2k/20k檔0.8ppm/C。

直流電流的指標(biāo)350ppm/a很差，不比2001的400ppm好，34401的還是500ppm/a呢。

交流基本檔200ppm/a，二流水平。

轉(zhuǎn)移特性指標(biāo)做的還不錯(cuò)，20V是0.15ppm、10V是0.2ppm。這個(gè)指標(biāo)比3458A還差了一倍，但比8508A要好。但是，2002的線性指標(biāo)0.2ppm不高，因此看來(lái)轉(zhuǎn)移特性指標(biāo)還是有水分。

噪音特性，NPLC=10下基本檔為0.6uVrms，還不錯(cuò)，與3458A的0.3uVrms只差一倍。

從測(cè)試速度看，這是三款達(dá)到每秒6次的高速8位半之一。另外兩款中，3458實(shí)際測(cè)試速度要比指標(biāo)高很多（10倍），而R6581與指標(biāo)相等。2002到底，待測(cè)試后就見(jiàn)分曉。

外觀上看，盡管半寬的面板小，但安排的很緊湊，尤其是顯示內(nèi)容豐富，雙排VFD點(diǎn)陣，外加一排狀態(tài)行，與Advantest R6581類(lèi)似。

多臺(tái)收購(gòu)吉時(shí)利2002八位半數(shù)字萬(wàn)用表

吉時(shí)利KEITHLEY2000，2001,2002,2010萬(wàn)用表應(yīng)用領(lǐng)域：
 離散和無(wú)源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級(jí)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽(yáng)能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開(kāi)關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路

測(cè)試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
太陽(yáng)能電池和 LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件
碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量
在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量
納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量
提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測(cè)量的技術(shù)
納米級(jí)材料的電氣測(cè)量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑戰(zhàn)
測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測(cè)量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析

多臺(tái)收購(gòu)吉時(shí)利2002八位半數(shù)字萬(wàn)用表

評(píng)估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測(cè)量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測(cè)量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測(cè)試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測(cè)量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測(cè)量
配置分立電阻器驗(yàn)證測(cè)試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
多臺(tái)數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見(jiàn)光LED的生產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測(cè)試
在運(yùn)行中第5次測(cè)量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個(gè)緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測(cè)試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器

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