油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射800±10nm) 參考價(jià):面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜對(duì)稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn),可應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、發(fā)光器件與生物熒光標(biāo)記等領(lǐng)域。油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)...油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射760±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射...油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射720±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射...油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射680±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射...油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射...油溶性CdSe量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdSe量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdSe量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdSe 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdSe 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdSe 量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdSe量子點(diǎn)(發(fā)射500±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdSe 量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶...油溶性CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射460±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdS量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%以上,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)360nm~460nm...油溶性CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdS量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%以上,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)360nm~460nm...油溶性CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdS量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%以上,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)360nm~460nm...油溶性CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射400±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdS量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%以上,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)360nm~460nm...油溶性CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射380±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdS量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%以上,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)360nm~460nm...油溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射850±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdSe和ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,尤其...油溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射820±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdSe和ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,尤其...油溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射780±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdSe和ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,尤其...油溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射740±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdSe和ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,尤其...油溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdSe和ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,尤其...油溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射660±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdSe和ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,尤其...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)