目錄:廈門(mén)超新芯科技有限公司>>樣品臺(tái)>>Volcano Series In Situ Stages>> 掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)-基礎(chǔ)版
參考價(jià) | 面議 |
參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間:2023-12-27 10:15:35瀏覽次數(shù):1600評(píng)價(jià)
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
分辨率 | 掃描電鏡極限分辨率 |
---|
高分辨率和可靠性
1.MEMS微加工工藝,加熱芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10nm,可達(dá)到掃描電鏡極限分辨率。
優(yōu)異的熱學(xué)性能
1.高精密紅外測(cè)溫校正,微米級(jí)高分辨熱場(chǎng)測(cè)量及校準(zhǔn),確保溫度的準(zhǔn)確性。
2.超高頻控溫方式,排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響,測(cè)量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。
3.采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料,其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系,加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測(cè)區(qū)域,升溫降溫速度快,熱場(chǎng)穩(wěn)定且均勻,穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)±1℃。
4.采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±1 ℃。
5.多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì),控制加熱過(guò)程熱擴(kuò)散,極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移,確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察。
6.加熱絲外部由氮化硅包覆,不與樣品發(fā)生反應(yīng),確保實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性。
類別 | 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
基本參數(shù) | 臺(tái)體材質(zhì) | 高強(qiáng)度鈦合金 |
分辨率 | 掃描電鏡極限分辨率 | |
適用電鏡 | ZEISS | |
EDS/EBSD | 支持 |
Synthetic scheme for thepreparation of ZIF-67 crystalsand GC
SEM images
ZIF-67 after heated
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)