USM36;USM36 DAC;USM36 S美國GE超聲探傷儀
USM 36超聲波探傷儀已發(fā)展成為業(yè)界經(jīng)典的A類超聲波探傷儀，是GEUSM系列超聲波探傷儀中*的一款產(chǎn)品，廣泛用于電力和石化工業(yè)的焊縫檢測、腐蝕測量；汽車工業(yè)、金屬工業(yè)的鑄件、鍛件檢測和厚度量測；以及航天工業(yè)的特殊材料檢。

USM36;USM36 DAC;USM36 S美國GE超聲探傷儀

超聲波探傷儀USM 36

USM36;USM36 DAC;USM36 S京海興樂科技（北京）有限公司提供探傷儀USM36;USM36 DAC;USM36 S儀器維修，USM36;USM36 DAC;USM36 S產(chǎn)品計量，USM36;USM36 DAC;USM36 S技術(shù)培訓(xùn)，產(chǎn)品說明書,產(chǎn)品配件等。；服務(wù)范圍： 船舶及船用產(chǎn)品的超聲探傷-UT；磁粉探傷-MT；滲透檢測(PT)、射線探傷-RT、渦流探傷-ET等產(chǎn)品。(奧林巴斯/汕超/美國GE/達(dá)高特/中科漢威/友聯(lián)/聲納/)配件：相控陣探頭，直探頭，斜探頭，連接線，探頭線，保護(hù)膜，試塊，耦合劑，雙晶探頭，表面波探頭，小徑管探頭，小角度探頭，水浸探頭，非金屬探頭，可拆式探頭，可變角度探頭，窄脈沖探頭、測厚探頭、高溫耦合劑及超聲探傷-UT；磁粉探傷-MT；滲透檢測(PT)、射線探傷-RT、渦流探傷-ET等產(chǎn)品。

應(yīng)用：

USM 36超聲波探傷儀已發(fā)展成為業(yè)界經(jīng)典的A類超聲波探傷儀，是GEUSM系列超聲波探傷儀中*的一款產(chǎn)品，廣泛用于電力和石化工業(yè)的焊縫檢測、腐蝕測量；汽車工業(yè)、金屬工業(yè)的鑄件、鍛件檢測和厚度量測；以及航天工業(yè)的特殊材料檢。

電力和石化工業(yè)的焊縫檢測

直觀的工作界面和7吋超高亮度彩色屏幕，使得在焊縫檢測時更容易判別缺陷：

?閘門和曲線以不同顏色來區(qū)分；

?警示和訊息以紅色來顯示；

?A-掃描可以不同顏色顯示，以便做比較；

?用顏色顯示所有相關(guān)瑕疵位置的參數(shù)，包含聲波路徑、表面距離、深度位置和跨距編號(leg number)；

?GE的斜束檢測跨距彩色編碼顯示功能。

在汽車工業(yè)領(lǐng)域之精確厚度測量

USM 36超聲波探傷儀提供精確的厚度測量，即使在聲波路徑不同的情況下，也可由回波序列中得到精確的峰值。

電力和石化工業(yè)的腐蝕測量

腐蝕量測可以利用雙晶探頭檢測，USM 36超聲波探傷儀提供屏幕同時顯示厚度值和A-掃描波形，保證厚度量測的可靠性。

最小的捕捉模式:可在連續(xù)掃描結(jié)束后提供最薄的量測讀值。

自動凍結(jié)功能:可以有效減少探頭與工件接觸時間，可用于結(jié)構(gòu)與高溫零件表面量測。

鍛件的檢測

USM 36超聲波探傷儀的幻像波偵測技術(shù)是使用于檢測細(xì)晶結(jié)構(gòu)材料的和長形工件時，以確保對缺陷的檢測不受幻像波影響。

特殊材料的檢測

強(qiáng)力的方波脈沖發(fā)射器為USM 36超聲波探傷儀選配功能之一，即使在嚴(yán)峻材料中亦可提供優(yōu)異的穿透性。例如航天工業(yè)和汽車工業(yè)中經(jīng)常使用的材料。

特點：

USM 36超聲波探傷儀具有同等級產(chǎn)品中最大的A-掃描屏幕：7吋大屏幕，搭配800 x480像素的分辨率。整個屏幕范圍皆可以作為A-掃描顯示區(qū)域，可以清楚地檢視和準(zhǔn)確地分析檢測訊號，有效緩解因長時間作業(yè)所導(dǎo)致的眼睛疲勞。背光調(diào)節(jié)功能可以確保在明亮的陽光下圖形依然清晰可見。

操作更簡單，更有效率：USM 36超聲波探傷儀承襲了前幾代USM系列產(chǎn)品令人熟悉的旋鈕設(shè)計，但將功能鍵簡化成6個，操作起來更直觀、簡單，保持高效；檢測設(shè)定非常容易，尤其對于熟悉GE產(chǎn)品的技術(shù)人員，更可以直接上手，免去閱讀使用說明書的繁瑣。其設(shè)定值也可直接由儀器接口傳輸，并且保持與USM同系列產(chǎn)品的接口共通性。

彈性的數(shù)據(jù)報告和儲存：USM 36超聲波探傷儀的數(shù)據(jù)報告還可配有A-掃描的截圖和錄像功能，并可以記錄下來以供后期分析或提供檢測的憑證。所有數(shù)據(jù)皆儲存在可更換的SD卡中，且報告可以jpeg和BMP格式呈現(xiàn)。

方便的數(shù)據(jù)共享：數(shù)據(jù)不僅可儲存在SD記憶卡或USB中，用于備份或分享。還配有VGA連接插座，以供連接外部顯示器或投影機(jī)顯示，方便檢視或教學(xué)等應(yīng)用。

可在嚴(yán)酷的環(huán)境中使用：USM 36超聲波探傷儀具有充分的防護(hù)能力，防塵和防水等級達(dá)IP65設(shè)計。可

在環(huán)境溫度-10°C至+55°C間使用，可以使用于沙漠、冰原和潮濕熱帶環(huán)境。如此全面的超聲波探傷儀重量僅有2.2公斤，并且在充滿電的情況可連續(xù)工作超過13小時。

選型：

以下3種機(jī)型都可選擇LEMO 01或BNC探頭接口，儀器基本配置包括主機(jī)、鋰電池、外置電源、SD卡、說明書、儀器箱。主要功能區(qū)別如下：

USM36     一款基本型超聲波探傷儀

USM36 DAC 包含DAC/TCG、AWS、SWP

USM36 S    包含DAC/TCG, AWS, SWP, DGS, PPRF, BEA, 3G

低配的USM36可選配功能：

 

AWS	AWS校正工具，根據(jù)AWS D1.1結(jié)構(gòu)焊道碼
DAC JISDAC CNDAC DAC	校正工具，16點，根據(jù)EN1712，EN 1713，EN 1714，ASTME164，ASME，ASME III，JIS Z3060，GB11345 TCG: 120 dB動態(tài)，110 dB/μs斜率
DGS	DGS校正工具，根據(jù)EN 1712, EN1713,EN 1714, ASTM E164
數(shù)據(jù)紀(jì)錄器	網(wǎng)格文件格式
3G	增加第3個監(jiān)視閘-監(jiān)視閘C
SWP	方波脈沖產(chǎn)生器 為優(yōu)化脈沖發(fā)射器的參數(shù)，電壓設(shè)定在120~300V，每一刻度為10V，脈沖寬度設(shè)定為30~500 ns，每一刻度為10 ns
Phantom-PRF	幻影回波-脈波反復(fù)率用于識別在低衰減材料中多反射引起的錯誤回波
BEA	背面回波衰減器

超聲波探傷儀USM36參數(shù)

通用參數(shù)

規(guī)范	根據(jù)EN 12668規(guī)范，在標(biāo)準(zhǔn)包裝中之產(chǎn)品光盤上可以找到您儀器的EN12668相關(guān)規(guī)格
電池	鋰離子電池，充飽可連續(xù)使用13小時/充電方法(標(biāo)準(zhǔn))：內(nèi)部充電，搭配充電器/充電方法(選配)：外部充電器/充電顯示：比例電位指示器
電源	外置電源
設(shè)備尺寸	(W×H×D) 255×177×100mm
設(shè)備重量	2.2公斤(含電池)
語言	保加利亞語,中文,捷克語,荷蘭語,英文,法文,德語,匈牙利語,意大利文,日文,挪威語,波蘭語,葡萄牙語,羅馬尼亞語,俄文,西班牙語,瑞典語
適合濕度和溫度	EN60068 Part 2-30(儲存) 6個周期: 9小時+25°C，3小時內(nèi)升至+55°C;9小時+55°C，3小時內(nèi)降至+25°C，93%濕度
震動	EN60068 Part 2-6 2g per axis, 5-150 Hz, 1oct/min, 25 cycles
沖擊	EN60068 Part 2-27 1000 cycles per axis, 15g, 11 ms, half-sine
Enclosure	IP66依據(jù)IEC 60529規(guī)范
操作溫度	–10~55°C
低溫作業(yè)	–10°C，16小時，502.5程序II
高溫作業(yè)	+55°C，16小時，501.5程序II
儲存溫度	–20—+60°C，不含電池
低溫儲存	–20°C，72小時，502.5程序I
高溫儲存	+70°C，48小時，501.5程序I

 

屏幕參數(shù)

 

使用范圍	152mm×91mm
分辨率	800×480像素
范圍	4-14,108mm，就縱波而言
延遲	–15~3,500μs
探頭延遲	0~1,000μs
音速	250~16,000m/s
脈波反復(fù)率	自動優(yōu)化15~2,000Hz,三種自動設(shè)定模式：自動低、自動中等、自動高、和手動模式

 

連接器參數(shù)

 

探頭接口	2×LEMO-1或2×BNC
USB接口	USBtype B連接插座
維修界面	LEMO-1B,8 pin

 

脈沖發(fā)生器

 

脈沖模式	Spikepulser，選購:方波脈沖
脈沖電壓	120~300V，每刻度為10 V，誤差10%(SQ模式)
脈沖下降上升時間	最大10 ns
脈沖寬度	30~500ns，每刻度為10 ns(SQ模式)
脈沖強(qiáng)度	低: 120 V，高:300 V(Spike mode)
脈沖能量	最低: 30 nS，最高:100 nS(Spike mode)
阻尼	50Ω，1,000Ω

 

接收器參數(shù)

 

數(shù)字增益	動態(tài)范圍110 dB,可調(diào),每0.2dB調(diào)整刻度
模擬帶寬	0.5~20MHz
等效輸入噪聲	<80nV/√Hz
濾波器	帶寬: 1-5 MHz / 2, 2.25 MHz / 4, 5 MHz/
整流	正半波，負(fù)半波，全波，射頻訊號(RF)

 

監(jiān)視閘參數(shù)

 

獨立監(jiān)視閘	監(jiān)視閘A和B (由監(jiān)視閘A觸發(fā))監(jiān)視閘C (選配，由監(jiān)視閘A或B觸發(fā))
測量模式	Peak,Flank, J-FLANK, FIRST PEAK

 

內(nèi)存參數(shù)

選型

類型15/類型16	類型15	類型16	類型17/類型18	類型17	類型18
	A: 30mm	A: 20mm		A: 14mm	A: 14mm
	B: 65mm	B: 45mm		B: 17mm	B: 17mm
	C: 28.5mm	C: 16.5mm		C: 13mm	C: 7.5mm
	D: 10mm	D: 5mm		D: 6.4mm	D: 6.4mm

 

系列	型號	頻率 (MHz)	焦距 (mm)	單晶片尺寸 (mm)	外觀尺寸	帶寬	接口類型	接口方向
SEB	SEB 1	1	20	Φ21半圓	類型15	40	雙聯(lián) Lemo 00	側(cè)裝
	SEB 1-EN	1	20
	SEB 2	2	15	7x18
	SEB 2-EN	2	15
	SEB 2-0°	2	30
	SEB 2-EN-0°	2	30
	SEB 4	4	12	6x20
	SEB 4-EN	4	12
	SEB 4-0°	4	25
	SEB 4-EN-0°	4	25
MSEB	MSEB 2	2	8	Φ11半圓	類型16	40
	MSEB 2-EN	2	8
	MSEB 4	4	10	3.5x10
	MSEB 4-EN	4	10
	MSEB 4-EN-0°	4	18
	MSEB 4-0°	4	18
	MSEB 5	5	10	Φ9半圓
SEB KF	SEB 2 KF 5	2	6	Φ8半圓	類型17	30-60	Microdot  X2
	SEB 4 KF 8	4	6
	SEB 4 KF 8-EN	4	6
	SEB 5 KF 3	5	3
	SEB 10 KF 3	10	3	Φ5半圓	類型18
	SEB 10 KF 3-EN	10	3

MSEB2

MSEB4

SEB2 EN

SEB2

SEB4

卡槽	SD卡槽，適用所有標(biāo)準(zhǔn)SD記憶卡
容量	8GB，SD記憶卡
數(shù)據(jù)組	ASCII編碼的UGO數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)
檢測報告	JPG或BMP格式