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          上海供應(yīng)沖擊電壓發(fā)生器

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          更新時(shí)間:2020-12-01 16:51:40瀏覽次數(shù):559

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          產(chǎn)品簡介

          產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 電子
          上海供應(yīng)沖擊電壓發(fā)生器采用恒流充電自動控制技術(shù),自動化程度高,抗*力強(qiáng);一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

          詳細(xì)介紹

          上海供應(yīng)沖擊電壓發(fā)生器工作原理:

          這些球隙在回路中起控制開關(guān)的作用,當(dāng)它們都動作后,所有級電容C 就通過各級的波頭電阻Rf串聯(lián)起來,并向負(fù)荷電容C0充電。此時(shí),串聯(lián)后的總電容為C/n,總電壓為nV。n為發(fā)生器回路的級數(shù)。由于C0較小,很快就充滿電,隨后它將與級電容C一起通過各級的波尾電阻Rt放電。這樣,在負(fù)荷電容C0上就形成一很高電壓的短暫脈沖波形的沖擊電壓。在此短暫的期間內(nèi),因充電電阻R 遠(yuǎn)大于Rf和Rt,因而它們起著各級之間隔離電阻的作用。沖擊電壓發(fā)生器利用多級電容器并聯(lián)充電、串聯(lián)放電來產(chǎn)生所需的電壓,其波形可由改變Rf和Rt的阻值進(jìn)行調(diào)整, 幅值由充電電壓V 來調(diào)節(jié),極性可通過倒換硅堆D兩極來改變。

          額定參數(shù)值:

           負(fù)荷電容為300~5000PF時(shí)能產(chǎn)生下列波形:

          1、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波,電壓效率≥92%(空載)

          2、2~6μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓截波,電壓效率≥92%(空載)

          3、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311-97國家標(biāo)準(zhǔn)的要求

          4、同步范圍:級電壓在10%~100%額定電壓范圍內(nèi),正負(fù)極性同步范圍不小于20%;

          5、點(diǎn)火范圍10%~100%

          6、同步放電失控率:< 2%

          7、輸出電壓:≤10un

          8、充電電壓不穩(wěn)定度:≤±1.0%

          9、使用持續(xù)時(shí)間:>70%un額定電壓以上,每90秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行;在<70%un額定電壓下,每45秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行。

          特點(diǎn):

          1、回路電感小,并采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波,負(fù)載能力大;
          2、電壓利用系數(shù)高,雷電波和操作波分別不低于85%和80%;
          3、采用恒流充電自動控制技術(shù),自動化程度高,抗*力強(qiáng);

           上海供應(yīng)沖擊電壓發(fā)生器效率:

           輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η,即

          η=(V2m /nV)×100%
          對雷電沖擊波,η一般約80%;對操作沖擊波,η有時(shí)僅60%。
          沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr)、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān),均需通過實(shí)際調(diào)試進(jìn)行調(diào)整和確定。
          對于電力變壓器等帶有繞組的電力設(shè)備,通常還要求做雷電沖擊截波試驗(yàn)。外接一截?cái)嚅g隙即可產(chǎn)生沖擊截波。標(biāo)準(zhǔn)雷電截波是標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波經(jīng)過2~5μs截?cái)嗟牟ㄐ巍?br />高電壓試驗(yàn)室的基本試驗(yàn)設(shè)備之一。目前中國已建的額定電壓為6MV,有的國家個(gè)別的高達(dá)10MV。
           等值電路

          沖擊電壓發(fā)生器動作時(shí)的等值電路如圖2所示。圖中C1為主電容,又稱沖擊電容,它相當(dāng)于各級串聯(lián)后的總電容,即;C2為負(fù)荷電容,即C2=C0,它包括調(diào)波電容、試品電容、測量設(shè)備(分壓器)電容及聯(lián)線等寄生電容;G 代表控制放電的球隙;Rf和Rt分別為波頭電阻和波尾電阻,它們相當(dāng)于各級rf和rt的總和,即Rf=nrf,Rt=nrt;U1為充電電壓,它相當(dāng)于各級串聯(lián)后的總電壓,即U1=nV;U2為輸出電壓,即所需的沖擊電壓。此等值電路相當(dāng)于單級沖擊電壓發(fā)生器的電路。根據(jù)電路分析,輸出電壓U2(t)為一雙指數(shù)函數(shù)

          τ1>>τ2

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