產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 農(nóng)業(yè) |
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主回路采用LC振蕩直接放電法,浪涌電流接近正弦半波。
參考價(jià) | ¥3980 |
訂貨量 | 1 件 |
更新時(shí)間:2024-04-07 14:35:09瀏覽次數(shù):979
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晶閘管浪涌電流測試臺(tái)SYS-101-ITSM產(chǎn)品簡介
浪涌電流測試范圍:500A—6000A
浪涌電流底寬: 8-10mS
正反向重復(fù)峰值電壓測試范圍:200V—2000V
配有示波器供觀看伏安特性曲線波形
測試方法符合國標(biāo),用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過載能力,
主回路采用LC振蕩直接放電法,浪涌電流接近正弦半波。
控制回路采用單片機(jī)控制,所測參數(shù)數(shù)字顯示。
是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的設(shè)備。
晶閘管浪涌電流測試臺(tái)SYS-101-ITSM技術(shù)指標(biāo):
1.ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2.ITSM測試范圍:500A—6000A,分辨率10A,精度±5%,數(shù)字表顯示。
3.VRM測試范圍:200V—2000V,分辨率10V,精度±5%,數(shù)字表顯示。
4.測試頻率:單次。
5.設(shè)備配有示波器供觀看反向伏安特性波形。產(chǎn)品簡介
浪涌電流測試范圍:500A—6000A
浪涌電流底寬: 8-10mS
正反向重復(fù)峰值電壓測試范圍:200V—2000V
配有示波器供觀看伏安特性曲線波形
測試方法符合國標(biāo),用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過載能力,
主回路采用LC振蕩直接放電法,浪涌電流接近正弦半波。
控制回路采用單片機(jī)控制,所測參數(shù)數(shù)字顯示。
是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的選設(shè)備。
技術(shù)指標(biāo):
1.ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2.ITSM測試范圍:500A—6000A,分辨率10A,精度±5%,數(shù)字表顯示。
3.VRM測試范圍:200V—2000V,分辨率10V,精度±5%,數(shù)字表顯示。
4.測試頻率:單次。
5.設(shè)備配有示波器供觀看反向伏安特性波形。