【接近開關(guān)、光電開關(guān)藍(lán)伊電氣工作理念】

承諾一：1、保證全新*

承諾二：2、詳聊（邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾）

承諾三：3、保證售后服務(wù)質(zhì)量

承諾四：4、保證安全準(zhǔn)時(shí)發(fā)貨

流程一：1、客戶確認(rèn)所需采購(gòu)產(chǎn)品型號(hào)

流程二：2、我方會(huì)根據(jù)詢價(jià)單型號(hào)查詢價(jià)格以及交貨期，擬一份詳細(xì)正規(guī)報(bào)價(jià)單

流程三：3，客戶收到報(bào)價(jià)單并確認(rèn)型號(hào)無誤后訂購(gòu)產(chǎn)品

流程四：4、報(bào)價(jià)單負(fù)責(zé)人根據(jù)客戶提供型號(hào)以及數(shù)量擬份銷售合同

流程五：5、客戶收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷售額匯款到公司開戶行

流程六：6、我公司財(cái)務(wù)查到款后，業(yè)務(wù)員安排發(fā)貨并通知客戶跟蹤運(yùn)單

藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有：ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗，歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機(jī)電等。堅(jiān)持“用戶至上， 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨，追求用戶滿意”的核心理念。施耐德交流接觸器4極型號(hào)

施耐德交流接觸器4極型號(hào)常采用雙斷口電動(dòng)滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動(dòng)、靜觸頭在分、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、底座及接線柱等輔助部件。

交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合，實(shí)現(xiàn)觸頭的接通和分?jǐn)嗟?。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動(dòng)作狀態(tài))。當(dāng)吸引線圈通電后，使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力，銜鐵被吸合，與銜鐵相連的連桿帶動(dòng)觸頭動(dòng)作，使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當(dāng)吸引線圈斷電時(shí)，電磁吸力消失，銜鐵在復(fù)開，使常開觸頭閉合，位彈簧作用下釋放，所有觸頭隨之復(fù)位，接觸器處于失電狀態(tài)。

施耐德接觸器如下：

LC1-D09M5C

LC1-D12M5C

LC1-D18M5C

LC1-D25M5C

LC1-D32M5C

LC1-D40M5C

LC1-D50M5C

LC1-D80M5C

LC1-D95M5C

LC1-D115M5C

LC1-D150M5C

LC1-D170M5C

LC1-D205M5C

LC1-D245M5C

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

摻雜物濃度對(duì)于半導(dǎo)體直接的影響在于其載子濃度。在熱平衡的狀態(tài)下，一個(gè)未經(jīng)摻雜的本質(zhì)半導(dǎo)體，電子與電洞的濃度相等，如下列公式所示：

n= p= n其中n是半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度、p則是半導(dǎo)體的電洞濃度，n則是本質(zhì)半導(dǎo)體的載子濃度。n會(huì)隨著材料或溫度的不同而改變。對(duì)于室溫下的硅而言，n大約是1×10 cm。

通常摻雜濃度越高，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性就會(huì)變得越好，原因是能進(jìn)入傳導(dǎo)帶的電子數(shù)量會(huì)隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導(dǎo)體會(huì)因?yàn)閷?dǎo)電性接近金屬而被廣泛應(yīng)用在今日的集成電路制程來取代部份金屬。高摻雜濃度通常會(huì)在n或是p后面附加一上標(biāo)的“+”號(hào)，例如n代表?yè)诫s濃度非常高的n型半導(dǎo)體，反之例如p則代表輕摻雜的p型半導(dǎo)體。需要特別說明的是即使摻雜濃度已經(jīng)高到讓半導(dǎo)體“退化”（degenerate）為導(dǎo)體，摻雜物的濃度和原本的半導(dǎo)體原子濃度比起來還是差距非常大。以一個(gè)有晶格結(jié)構(gòu)的硅本質(zhì)半導(dǎo)體而言，原子濃度大約是5×10 cm，而一般集成電路制程里的摻雜濃度約在10 cm至10 cm之間。摻雜濃度在10 cm以上的半導(dǎo)體在室溫下通常就會(huì)被視為是一個(gè)“簡(jiǎn)并半導(dǎo)體”（degenerated semiconductor）。重?fù)诫s的半導(dǎo)體中，摻雜物和半導(dǎo)體原子的濃度比約是千分之一，而輕摻雜則可能會(huì)到十億分之一的比例。在半導(dǎo)體制程中，摻雜濃度都會(huì)依照所制造出元件的需求量身打造，以合于使用者的需求。