【接近開(kāi)關(guān)、光電開(kāi)關(guān)藍(lán)伊電氣工作理念】

承諾一：1、保證全新*

承諾二：2、詳聊（邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾）

承諾三：3、保證售后服務(wù)質(zhì)量

承諾四：4、保證安全準(zhǔn)時(shí)發(fā)貨

流程一：1、客戶(hù)確認(rèn)所需采購(gòu)產(chǎn)品型號(hào)

流程二：2、我方會(huì)根據(jù)詢(xún)價(jià)單型號(hào)查詢(xún)價(jià)格以及交貨期，擬一份詳細(xì)正規(guī)報(bào)價(jià)單

流程三：3，客戶(hù)收到報(bào)價(jià)單并確認(rèn)型號(hào)無(wú)誤后訂購(gòu)產(chǎn)品

流程四：4、報(bào)價(jià)單負(fù)責(zé)人根據(jù)客戶(hù)提供型號(hào)以及數(shù)量擬份銷(xiāo)售合同

流程五：5、客戶(hù)收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷(xiāo)售額匯款到公司開(kāi)戶(hù)行

流程六：6、我公司財(cái)務(wù)查到款后，業(yè)務(wù)員安排發(fā)貨并通知客戶(hù)跟蹤運(yùn)單

藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有：ABB、西門(mén)子、施耐德、瑞士佳樂(lè) 上海人民、TCL羅格朗，歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開(kāi)關(guān)、富士機(jī)電等。堅(jiān)持“用戶(hù)至上， 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨，追求用戶(hù)滿(mǎn)意”的核心理念。施耐德交流接觸器4極型號(hào)

施耐德交流接觸器4極型號(hào)常采用雙斷口電動(dòng)滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動(dòng)、靜觸頭在分、合過(guò)程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、底座及接線(xiàn)柱等輔助部件。

交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合，實(shí)現(xiàn)觸頭的接通和分?jǐn)嗟?。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動(dòng)作狀態(tài))。當(dāng)吸引線(xiàn)圈通電后，使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力，銜鐵被吸合，與銜鐵相連的連桿帶動(dòng)觸頭動(dòng)作，使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當(dāng)吸引線(xiàn)圈斷電時(shí)，電磁吸力消失，銜鐵在復(fù)開(kāi)，使常開(kāi)觸頭閉合，位彈簧作用下釋放，所有觸頭隨之復(fù)位，接觸器處于失電狀態(tài)。

施耐德接觸器如下：

LC1-D09M5C

LC1-D12M5C

LC1-D18M5C

LC1-D25M5C

LC1-D32M5C

LC1-D40M5C

LC1-D50M5C

LC1-D80M5C

LC1-D95M5C

LC1-D115M5C

LC1-D150M5C

LC1-D170M5C

LC1-D205M5C

LC1-D245M5C

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

摻雜物濃度對(duì)于半導(dǎo)體直接的影響在于其載子濃度。在熱平衡的狀態(tài)下，一個(gè)未經(jīng)摻雜的本質(zhì)半導(dǎo)體，電子與電洞的濃度相等，如下列公式所示：

n= p= n其中n是半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度、p則是半導(dǎo)體的電洞濃度，n則是本質(zhì)半導(dǎo)體的載子濃度。n會(huì)隨著材料或溫度的不同而改變。對(duì)于室溫下的硅而言，n大約是1×10 cm。

通常摻雜濃度越高，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性就會(huì)變得越好，原因是能進(jìn)入傳導(dǎo)帶的電子數(shù)量會(huì)隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導(dǎo)體會(huì)因?yàn)閷?dǎo)電性接近金屬而被廣泛應(yīng)用在今日的集成電路制程來(lái)取代部份金屬。高摻雜濃度通常會(huì)在n或是p后面附加一上標(biāo)的“+”號(hào)，例如n代表?yè)诫s濃度非常高的n型半導(dǎo)體，反之例如p則代表輕摻雜的p型半導(dǎo)體。需要特別說(shuō)明的是即使摻雜濃度已經(jīng)高到讓半導(dǎo)體“退化”（degenerate）為導(dǎo)體，摻雜物的濃度和原本的半導(dǎo)體原子濃度比起來(lái)還是差距非常大。以一個(gè)有晶格結(jié)構(gòu)的硅本質(zhì)半導(dǎo)體而言，原子濃度大約是5×10 cm，而一般集成電路制程里的摻雜濃度約在10 cm至10 cm之間。摻雜濃度在10 cm以上的半導(dǎo)體在室溫下通常就會(huì)被視為是一個(gè)“簡(jiǎn)并半導(dǎo)體”（degenerated semiconductor）。重?fù)诫s的半導(dǎo)體中，摻雜物和半導(dǎo)體原子的濃度比約是千分之一，而輕摻雜則可能會(huì)到十億分之一的比例。在半導(dǎo)體制程中，摻雜濃度都會(huì)依照所制造出元件的需求量身打造，以合于使用者的需求。