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          施耐德交流接觸器4極型號

          參  考  價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準

          產(chǎn)品型號LC1D95004M7N

          品       牌其他品牌

          廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

          所  在  地溫州市

          更新時間:2023-10-15 20:23:59瀏覽次數(shù):209次

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          應用領域 電子
          施耐德交流接觸器4極型號常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機構、底座及接線柱等輔助部件。

          【接近開關、光電開關藍伊電氣工作理念】

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          施耐德交流接觸器4極型號常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機構、底座及接線柱等輔助部件。

          交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,實現(xiàn)觸頭的接通和分斷的。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài))。當吸引線圈通電后,使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當吸引線圈斷電時,電磁吸力消失,銜鐵在復開,使常開觸頭閉合,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復位,接觸器處于失電狀態(tài)。

          施耐德接觸器如下:

          LC1-D09M5C

          LC1-D12M5C

          LC1-D18M5C

          LC1-D25M5C

          LC1-D32M5C

          LC1-D40M5C

          LC1-D50M5C

          LC1-D80M5C

          LC1-D95M5C

          LC1-D115M5C

          LC1-D150M5C

          LC1-D170M5C

          LC1-D205M5C

          LC1-D245M5C

          PN結的單向?qū)щ娦?/p>

          摻雜物濃度對于半導體直接的影響在于其載子濃度。在熱平衡的狀態(tài)下,一個未經(jīng)摻雜的本質(zhì)半導體,電子與電洞的濃度相等,如下列公式所示:

          n= p= n其中n是半導體內(nèi)的電子濃度、p則是半導體的電洞濃度,n則是本質(zhì)半導體的載子濃度。n會隨著材料或溫度的不同而改變。對于室溫下的硅而言,n大約是1×10 cm。

          通常摻雜濃度越高,半導體的導電性就會變得越好,原因是能進入傳導帶的電子數(shù)量會隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導體會因為導電性接近金屬而被廣泛應用在今日的集成電路制程來取代部份金屬。高摻雜濃度通常會在n或是p后面附加一上標的“+”號,例如n代表摻雜濃度非常高的n型半導體,反之例如p則代表輕摻雜的p型半導體。需要特別說明的是即使摻雜濃度已經(jīng)高到讓半導體“退化”(degenerate)為導體,摻雜物的濃度和原本的半導體原子濃度比起來還是差距非常大。以一個有晶格結構的硅本質(zhì)半導體而言,原子濃度大約是5×10 cm,而一般集成電路制程里的摻雜濃度約在10 cm至10 cm之間。摻雜濃度在10 cm以上的半導體在室溫下通常就會被視為是一個“簡并半導體”(degenerated semiconductor)。重摻雜的半導體中,摻雜物和半導體原子的濃度比約是千分之一,而輕摻雜則可能會到十億分之一的比例。在半導體制程中,摻雜濃度都會依照所制造出元件的需求量身打造,以合于使用者的需求。

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