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        1. 樂清市藍伊電氣有限公司
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          施耐德交流接觸器

          參  考  價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準

          產(chǎn)品型號LC1-D95F5C

          品       牌其他品牌

          廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

          所  在  地溫州市

          更新時間:2023-10-16 08:04:44瀏覽次數(shù):145次

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          應用領(lǐng)域 電子
          施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機構(gòu)、底座及接線柱等輔助部件。

          【接近開關(guān)、光電開關(guān)藍伊電氣工作理念】

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          藍伊電氣主要產(chǎn)品有:ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗,歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機電等。堅持“用戶至上, 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨,追求用戶滿意”的核心理念。施耐德交流接觸器

           

          施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機構(gòu)、底座及接線柱等輔助部件。

          交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,實現(xiàn)觸頭的接通和分斷的。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài))。當吸引線圈通電后,使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當吸引線圈斷電時,電磁吸力消失,銜鐵在復開,使常開觸頭閉合,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復位,接觸器處于失電狀態(tài)。

          施耐德接觸器如下:

          LC1-D09M5C

          LC1-D12M5C

          LC1-D18M5C

          LC1-D25M5C

          LC1-D32M5C

          LC1-D40M5C

          LC1-D50M5C

          LC1-D80M5C

          LC1-D95M5C

          LC1-D115M5C

          LC1-D150M5C

          LC1-D170M5C

          LC1-D205M5C

          LC1-D245M5C

          物質(zhì)存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性差或不好的材料,如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等,稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體??梢院唵蔚陌呀橛趯w和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比,半導體材料的發(fā)現(xiàn)是晚的,直到20世紀30年代,當材料的提純技術(shù)改進以后,半導體的存在才真正被學術(shù)界認可。

          半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下:

           

          一部分:用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

          二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

          三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

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