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GBT管的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時(shí)，會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn) 此外，在柵極發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò) 這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發(fā)熱乃至損壞在應(yīng)用中，有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感 在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓，如果柵極回路不合適或者柵極回路*不能工作時(shí)（柵極處于開(kāi)路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會(huì)損壞 為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外，由于IGBT管為MOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于靜電就要十分注意 因此，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：
?。?）在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí)，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸；
?。?）在用導(dǎo)電材料連接IGBT管的驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；
?。?）盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時(shí)，電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT管與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度，為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT管間涂抹導(dǎo)熱硅脂，一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT管發(fā)熱，從而發(fā)生故障，因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT管工作。
igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
可測(cè)試IGBT參數(shù)包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、
GFS、rCE等全直流參數(shù)，所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度，大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。
主極電流可提供400A 500A 800A 1250A大電流測(cè)試選項(xiàng)
BR3500測(cè)試系統(tǒng)是一項(xiàng)高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力?？烧鎸?shí)準(zhǔn)確測(cè)試達(dá)九大類二十七分類大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。
一、可測(cè)試種類
1.二極管 Diode
2.穩(wěn)壓（齊納）二極管 Zener
3.晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
4.可控硅整流器（普通晶閘管） SCR
5.雙向可控硅（雙向晶閘管） TRIAC
6.MOS場(chǎng)效應(yīng)管 Power MOSFET（N-溝/P-溝）
7.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）
8. 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR（正電壓/負(fù)電壓，固定/可變）
9.絕緣柵雙功率晶體管 IGBT（NPN型/PNP型）
10.光電耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
11.光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12.光電開(kāi)關(guān)管 OPTO-SWITCH
13.達(dá)林頓陣列
14.固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器 SSOVP
15.硅觸發(fā)開(kāi)關(guān) STS
16.繼電器 RELAY（A、B、C型）
17.金屬氧化物壓變電阻 MOV
18.壓變電阻 VARISTO
19.雙向觸發(fā)二極管 DIAC
二、技術(shù)參數(shù)及可實(shí)現(xiàn)目標(biāo)
主極電壓：1000V 通過(guò)內(nèi)部設(shè)置可擴(kuò)展到：2000V
主極電流：50A 加選件可擴(kuò)展到：400A/500A/1000A/1250A
控制極電壓：20V 加大電流臺(tái)選件可擴(kuò)展到：80V
控制極電流：10A 加大電流臺(tái)選件可擴(kuò)展到：40A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：100pA 加小電流臺(tái)選件可擴(kuò)展到：1pA
1、如何避免米勒效應(yīng)?
IGBT操作時(shí)所面臨的問(wèn)題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間,高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通(門集電壓尖峰)，這是潛在的危險(xiǎn)。
當(dāng)上半橋的IGBT打開(kāi)操作，dVCE/dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會(huì)流過(guò)米勒的寄生電容，門極電阻和內(nèi)部門極驅(qū)動(dòng)電阻。這將倒至門極電阻電壓的產(chǎn)生。如果這個(gè)電壓超過(guò)IGBT門極閾值的電壓，可能會(huì)導(dǎo)致寄生IGBT道通。
有兩種傳統(tǒng)解決方案。首先是添加門極和發(fā)射極之間的電容。第二個(gè)解決方法是使用負(fù)門極驅(qū)動(dòng)。*個(gè)解決方案會(huì)造成效率損失。第二個(gè)解決方案所需的額外費(fèi)用為負(fù)電源電壓。
解決方案是通過(guò)縮短門極-發(fā)射極的路徑,通過(guò)使用一個(gè)額外的晶體管在于門極-發(fā)射極之間。達(dá)到一定的閾值后，晶體管將短路門極-發(fā)射極地區(qū)。這種技術(shù)被稱為有源米勒鉗位,提供在我們的ACPL-3xxJ產(chǎn)品。你可以參考Avago應(yīng)用筆記AN5314
2、故障保護(hù)功能有哪些?都是集成在隔離驅(qū)動(dòng)器里嗎?
3種故障保護(hù)功能都集成到Avago的高集成柵極驅(qū)動(dòng)器ACPL-33xJ里-UVLO(以避免VCC2電平不足夠時(shí)開(kāi)啟IGBT)，DESAT(以保護(hù)IGBT過(guò)電流或短路)，和米勒鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā))
3、在哪些應(yīng)用場(chǎng)合需要考慮米勒效應(yīng)的影響?
IGBT操作時(shí)所面臨的問(wèn)題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間,高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通(門集電壓尖峰)，這是潛在的危險(xiǎn)。
當(dāng)上半橋的IGBT打開(kāi)操作，dVCE/dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會(huì)流過(guò)米勒的寄生電容，門極電阻和內(nèi)部門極驅(qū)動(dòng)電阻。這將倒至門極電阻電壓的產(chǎn)生。如果這個(gè)電壓超過(guò)IGBT門極閾值的電壓，可能會(huì)導(dǎo)致寄生IGBT道通。
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