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品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
更新時間:2023-01-18 10:07:00瀏覽次數(shù):419次
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微光顯微鏡
LED光源是LED產(chǎn)品的心臟,主要功能就是把電能轉(zhuǎn)化成光能,因此注重光品質(zhì)尤其重要!而當(dāng)前,芯片廠和燈珠廠在LED光源設(shè)計過程中,僅僅是針對光源進(jìn)行相對簡單的測量,獲得整體的亮度、波長和電壓等參數(shù),并不能精確地描述光源的光分布情況,這樣容易導(dǎo)致光源的色度和亮度不均勻、光源整體效率低等問題,甚至導(dǎo)致光源失效。因此很有必要利用顯微光分布測試系統(tǒng)對光源進(jìn)行發(fā)光均勻度測試來優(yōu)化光源設(shè)計。
針對以上情況,實驗室自主研發(fā)生產(chǎn)出顯微光分布測試系統(tǒng),專注于LED產(chǎn)業(yè)改良打造,先已演化到第四代,而且價格從150萬降到幾十萬!訂貨期3個月,歡迎選購!
應(yīng)用領(lǐng)域:
LED芯片電極設(shè)計、LED芯片規(guī)格電流優(yōu)化、芯片出光率、LED芯片來料檢驗、LED芯片失效分析、燈珠燈具的光線追跡、面板燈發(fā)光均勻度、汽車照明燈發(fā)光均勻度、燈具發(fā)光均勻度。
近場光學(xué)設(shè)備與顯微光分布探頭對LED光敏感度差異對比:
顯微光分布探頭對光敏感度較高,能分辨細(xì)小的光強(qiáng)差異,因此成像也更細(xì)膩。
微光顯微鏡
顯微光分布與傳統(tǒng)設(shè)備大PK:
顯微光分布測試系統(tǒng)可模擬工作溫度進(jìn)行測試,分辨率可達(dá)1微米,其具有3D功能,可觀測芯片出光效果。
設(shè)備測試原理:
用于測量光源的光強(qiáng)分布、直徑、發(fā)散角等參數(shù)。通過CCD測量光強(qiáng)分布,通過算法計算出光源直徑等參數(shù)。測量光強(qiáng)的相對強(qiáng)度,不需要使用標(biāo)準(zhǔn)燈進(jìn)行校準(zhǔn)。
系統(tǒng)特點:
1.模擬器件實際使用環(huán)境進(jìn)行測試
LED光源的光熱性能受溫度的影響較大,脫離實際環(huán)境所測試的結(jié)果準(zhǔn)確性較差,甚至毫無意義。而自主研發(fā)的顯微光分布測試系統(tǒng)配備有高低溫數(shù)顯精密控溫平臺,能穩(wěn)定控制燈珠引腳和基板溫度,模擬實際使用環(huán)境進(jìn)行測試,提供更為真實有效的數(shù)據(jù)。如下圖所示,固定其他條件不變,分別控制引腳溫度為80℃和120℃,測試得到的光分布圖,不同溫度下芯片的發(fā)光強(qiáng)度相差較大。該測試平臺還配備有水冷降溫系統(tǒng),在100s內(nèi)可將平臺溫度由100℃降到室溫,有效解決了樣品臺降溫困難的問題,該系統(tǒng)還可以穩(wěn)定控制樣品臺溫度維持在0℃-室溫,適用于部分需要保持低溫工作的器件。
2.對LED芯片設(shè)計提供參考依據(jù)
技術(shù)背景:
當(dāng)前,芯片廠在LED芯片電極圖案設(shè)計過程中,僅僅是針對芯片進(jìn)行相對簡單的測量,獲得整體的亮度、波長和電壓等參數(shù),并不能精確地描述芯片的光分布情況,這樣容易導(dǎo)致芯片的色度和亮度不均勻、光源整體效率低等問題。而由于缺乏專業(yè)的測試設(shè)備和測試經(jīng)驗,LED芯片廠對芯片發(fā)光不均勻的現(xiàn)象束手無策,沒有直觀的數(shù)據(jù)支持,無法從根本上改進(jìn)芯片品質(zhì)。
實驗室顯微光分布測試系統(tǒng),方便客戶了解芯片性能,認(rèn)清芯片電極設(shè)計的方向。通過LED芯片發(fā)光均勻度測試,可以從特定角度拍攝芯片影像,建立一個芯片亮度輸出的發(fā)光圖像,接收被測芯片的光信號,提供芯片發(fā)光效果圖和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。其中,芯片發(fā)光效果圖能直觀地體現(xiàn)出芯片發(fā)光的均勻程度,判斷電極圖案設(shè)計的優(yōu)劣,明確改進(jìn)方向,優(yōu)化電極圖案。
發(fā)光均勻度評判電極圖案設(shè)計的優(yōu)劣:
芯片的電極圖案對芯片的整體亮度、發(fā)光效率、電壓大小影響較大。根據(jù)芯片的發(fā)光均勻度進(jìn)行電極圖案優(yōu)化后,可以改善電流擴(kuò)展分布能力,提高電流分布的均勻性,減小電流聚集效應(yīng),降低工作電壓,減小串聯(lián)電阻,減少焦耳熱的產(chǎn)生,減弱紅移現(xiàn)象,從而提升芯片的可靠性。
優(yōu)化電極圖案的過程中,要兼顧電流擴(kuò)展性和遮光面積。例如,對于電極圖案設(shè)計,可增加低亮度區(qū)域金手指的長度,來增加電流擴(kuò)展性,提升低亮度區(qū)域的亮度;同樣,也可以縮小高亮地區(qū)的金手指寬度,減少該區(qū)域的電流擴(kuò)展性,降低亮度,以達(dá)到提高芯片整體發(fā)光均勻度的目的。又例如,對于低亮度區(qū)域還可以設(shè)置電流擴(kuò)展層或增加電流擴(kuò)展層厚度,以增加電流擴(kuò)展性;相反,對于高亮度就可以設(shè)置電流阻擋層來減小電流密度,以形成均勻分布的電流,同樣可以達(dá)到提高芯片整體發(fā)光均勻度的目的。一般,在發(fā)光均勻度滿足要求的情況下,要盡量減少遮光面積,提升發(fā)光效率。
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