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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> 半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)
1.技術(shù)性能指標(biāo)
1. 物理指標(biāo):設(shè)備尺寸(mm):800(寬)×600(長)×1800(高)mm;
2.電學(xué)指標(biāo)
主極電壓2000V
主極電流2500A
控制極電壓20V
控制極電流10A
電壓分辨率1mV
電流分辨率100pA
測試速度5mS/參數(shù)
晶體管:TRANSISTOR(NPN 型/PNP 型)
測試參數(shù):ICBO(發(fā)射極開路時集電極-基極的反向電流)、ICEO(集電極-發(fā)射極漏流)、IEBO(發(fā)射極
-基極間的漏流)、BVCEO(集電極-發(fā)射極的擊穿電壓)、BVCBO(集電極-基極的擊穿電壓)、BVEBO(發(fā)
射極-基極的擊穿電壓)、hFE(放大倍數(shù))、VCESAT(集電極-發(fā)射極間的飽和壓降)、VBESAT(基極-發(fā)
射極間的飽和壓降)、VBE(基極-發(fā)射極間的非飽和壓降)
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