AP Tech 熱離子發(fā)射陰極
Thermionic Emitters (TE)
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AP Tech 熱離子發(fā)射陰極
在熱離子狀態(tài)下工作的陰極被加熱到高溫。當(dāng)電子具有足夠的熱能來克服制造陰極的材料的功函數(shù)時,就會發(fā)生發(fā)射。
我們的熱離子陰極由六硼化鑭(LaB6)和六硼化鈰(CeBix®)制成。LaB6和CeBix®都是低功函數(shù)材料,可生產(chǎn)相對高亮度的陰極,有適度的真空要求和較長的保質(zhì)期。這些陰極在高達(dá)20A/cm2的電流密度下提供長期、穩(wěn)定的操作,使其非常適合小光斑應(yīng)用,如SEM、TEM、電子束滅菌、表面分析和計量,以及大電流應(yīng)用,如x射線生成、光刻和增材制造。
AP Tech 熱離子發(fā)射陰極
在APT,我們在內(nèi)部種植和制造我們自己的高質(zhì)量單晶LaB6和CeBix®,使用一種生產(chǎn)商業(yè)上最純和功函數(shù)材料的工藝。經(jīng)過精煉,我們的硼化物可以定制成各種形狀,具有不同的加熱、安裝和底座配置,所有這些都是為了滿足客戶的操作和性能要求而設(shè)計的。
由于功函數(shù)LaB6略低,CeBix®陰極在略低的工作溫度下產(chǎn)生更高的電流。因此,CeBix®光源的亮度略高,使用壽命更長。APT是世界上CeBix®陰極生產(chǎn)商。
我們還可以分別提供LaB6和CeBix®單晶棒和單晶盤。
熱場發(fā)射器(TFE)像熱離子發(fā)射器一樣被加熱,但也被電化學(xué)蝕刻以具有微觀上尖銳的,類似于冷場發(fā)射器的方式。在操作過程中,由于發(fā)射器的銳度及其對抑制器的定向,在源會產(chǎn)生非常高的電場。場對勢壘的降低和通過加熱提供給電子的熱能產(chǎn)生了能夠在非交叉模式(或虛擬源模式)下操作的源。因此,與熱離子發(fā)射器不同,TFE不受空間電荷限制,并且比典型的熱離子源亮幾個數(shù)量級。
APT現(xiàn)在提供鋯化鎢熱場發(fā)射器(ZrOW-TFE),俗稱肖特基源。ZrOW-TFE是電子束應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射器,要求高亮度、提高空間分辨率、穩(wěn)定發(fā)射和長壽命。我們的ZrOW源符合通用OEM性能規(guī)范和操作參數(shù),可以使用定制的末端形狀(半徑)幾何形狀和任何發(fā)射極-基極/抑制器配置制造,包括FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL或定制配置。