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全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀在實(shí)驗(yàn)中起到了什么作用？
全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是表征半導(dǎo)體材料的基本工具。結(jié)合相關(guān)材料電阻率測(cè)量，霍爾效應(yīng)分析測(cè)量方法確定一個(gè)重要的半導(dǎo)體復(fù)合材料質(zhì)量特性，例如電荷載流子極性、電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率。霍爾效應(yīng)進(jìn)行電壓通過(guò)測(cè)量的挑戰(zhàn)主要在于它們的量非常小，例如微伏，甚至可以更低。如果半導(dǎo)體材料具有高電阻率和/或低載流子遷移率，在這些低電壓下，電平誤差項(xiàng)可能具有重要的數(shù)量級(jí)，影響測(cè)量的霍爾電壓。對(duì)于霍爾效應(yīng)進(jìn)行測(cè)量，誤差項(xiàng)來(lái)自中國(guó)多個(gè)數(shù)據(jù)來(lái)源，包括與樣品組織結(jié)構(gòu)和樣品幾何形狀設(shè)計(jì)相關(guān)的誤差、金屬連接中的固有誤差，以及企業(yè)對(duì)于我們一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品而言，由非理想樣品幾何形狀可以引起的電壓誤差和熱電誤差。本技術(shù)描述將描述這些誤差中很常見(jiàn)的誤差，并推薦解決這些誤差以消除或極小化高質(zhì)量霍爾效應(yīng)測(cè)量中的誤差的方法。
霍爾棒為產(chǎn)生霍爾效應(yīng)研究提供了更理想的幾何測(cè)量，因?yàn)槲覀冞@種不同類型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)軸實(shí)現(xiàn)恒定的電流密度。
在這種情況下，測(cè)試樣本必須具有允許將測(cè)試樣本連接到全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀以進(jìn)行所需特性測(cè)量的霍爾測(cè)量。需要連接到服務(wù)器樣本，并且我們每個(gè)連接都會(huì)影響產(chǎn)生直接接觸電阻。保持盡可能低的接觸電阻和歐姆將減少接觸電阻對(duì)電阻測(cè)量的影響。歐姆意味著線性接觸遵守歐姆定律。金屬-半導(dǎo)體連接或接口技術(shù)具有肖特基二極管特性，這使得企業(yè)獲得歐姆接觸社會(huì)成為我國(guó)一項(xiàng)任務(wù)艱巨的挑戰(zhàn)，將低歐姆接觸的電阻與樣品電阻產(chǎn)生的電阻的電阻水平進(jìn)行比較，很小測(cè)量誤差由非線性分量組成，這種聯(lián)系是微不足道的，高接觸電阻會(huì)導(dǎo)致樣品自熱和熱誤差電壓增加，對(duì)于固定的激勵(lì)電流，低接觸電阻會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線上的電壓測(cè)量值更高。
幾種接觸沉積方法包括：
1.使用金屬基涂料和漿料；
2.直接在半導(dǎo)體表面熔化金屬；
3.蒸發(fā)濺射；
4.分子束外延；
5.離子注入。
一旦接觸材料沉積在半導(dǎo)體表面上，就可以通過(guò)常規(guī)烘箱、激光、電子束或快速加熱爐對(duì)接觸進(jìn)行熱退火。一種使用鹵素?zé)魧雽?dǎo)體快速加熱到退火溫度并保持溫度在 10 到 30 秒的退火工藝。
全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀無(wú)論使用何種沉積技術(shù)，對(duì)細(xì)節(jié)的關(guān)注和良好的技術(shù)都會(huì)限度地減少非歐姆效應(yīng)。確保樣品觸點(diǎn)質(zhì)量的四個(gè)具有重要方面考慮影響因素主要包括連接工藝的選擇、觸點(diǎn)材料的選擇、觸點(diǎn)的放置和樣品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及通過(guò)連接的穩(wěn)定性。