儀器簡(jiǎn)介：

日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測(cè)試儀, 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場(chǎng)模擬技術(shù)，采用德國(guó)CST公司的3D電磁類(lèi)比軟件MW-StudioTM，測(cè)量材料的高頻介電常數(shù)，此方法保證了介電常數(shù)測(cè)量結(jié)果的精確性。

技術(shù)參數(shù)：

可測(cè)試頻率范圍： 800M～9.4GHz

介電常數(shù)Epsilon：1-15，   準(zhǔn)確度： ±1%，

介電損耗tangent delta：0.1-0.001，  準(zhǔn)確度：±5%

共有兩種同軸共振腔，每個(gè)腔可測(cè)五個(gè)頻點(diǎn):
TyPe A：  0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz

TyPe B:    1/3/5/7/9GHz  

主要特點(diǎn)：

同軸共振腔適用于不同形狀樣品。

包括薄膜樣品的非破壞性測(cè)量，使用簡(jiǎn)易的逐步操作，內(nèi)置的反饋振蕩器電路可實(shí)現(xiàn)精確的量測(cè)。

應(yīng)用領(lǐng)域：

高速數(shù)字/微波電路用基底材料 ；濾波器和介電天線用低損耗電介質(zhì) ；化學(xué)制品；

薄膜與新材料；半導(dǎo)體材料；電子材料（包括CCL和PCB）

陶瓷材料；納米材料；光電材料等

日本AET介電常數(shù)測(cè)定儀 無(wú)損誘電率測(cè)定裝置