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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
變溫腔采用加熱棒加熱，和通入液氮制冷的方式降溫。通過(guò)控制加熱棒電壓和液氮泵的轉(zhuǎn)速，可以控制變溫腔內(nèi)樣品臺(tái)升降溫的速率。
該變溫電阻設(shè)備有以下特點(diǎn):
1、中低溫變溫電阻測(cè)試設(shè)備變溫范圍廣，-196到高溫全覆蓋，且變溫過(guò)程中升降溫速率可控;
2、測(cè)試精度高范圍廣，電阻測(cè)量范圍0.01uΩ到1200MΩ，廣泛應(yīng)用于各種金屬半導(dǎo)體材料，和相變材料研究;
3、測(cè)試數(shù)據(jù)量大且完整，變溫過(guò)程中持續(xù)采集，電阻率數(shù)據(jù)每秒采集兩次。
4、設(shè)備體積小，操作簡(jiǎn)單，維護(hù)方便。
5、測(cè)量結(jié)果穩(wěn)定，數(shù)據(jù)平滑，重復(fù)性高。
中低溫變溫電阻測(cè)試設(shè)備對(duì)變溫過(guò)程中的樣品進(jìn)行電阻率的聯(lián)系采集，從而繪制處樣品在變溫過(guò)程中的電阻率聯(lián)系變化曲線。
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
測(cè)試參數(shù) | ||
1 | 測(cè)試物理量 | 變溫過(guò)程中電阻率連續(xù)采集 |
2 | 樣品要求 | L≥10mm；W≥3mm；T≥50nm （適用與塊狀、片狀和帶基底的薄膜樣品） |
3 | 電阻率測(cè)試誤差 | ≤10% |
4 | 重復(fù)測(cè)試誤差 | ≤3% |
5 | 電阻測(cè)量范圍 | 0.01uΩ--1200MΩ |
控溫參數(shù) | ||
6 | 溫度范圍 | 80K-800K |
7 | 顯示精度 | 0.1℃ |
8 | 控溫精度 | 0.1℃ |
9 | 加熱方式 | 加熱棒加熱 |
10 | 制冷方式 | 液氮制冷 |
11 | 升溫速率 | （1-30）K/min程序控制 |
12 | 降溫速率 | （1-20）K/min程序控制 |
13 | 最大加熱功率 | 100W |
整機(jī)參數(shù) | ||
14 | 采集控制箱尺寸 | 366mm（W）*360mm（D）*160mm（H） |
15 | 測(cè)試裝置尺寸 | 140m*120mm*180mm |
16 | 額定電壓 | 220V/50HZ |
17 | 整機(jī)功率 | 250w |
其它參數(shù) | ||
18 | 外殼冷卻方式 | -40℃/min |
19 | 外殼最高溫度 | 40℃ |
20 | 測(cè)試氣氛 | 真空 |
21 | 真空度 | ≤1Pa |
22 | 真空容積 | 2L |
表 1-1 RMS-600技術(shù)參數(shù)
