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所 在 地西安市
更新時間:2023-12-20 10:49:49瀏覽次數(shù):149次
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Ni2SiTe4晶體,磁性拓撲絕緣體
材料名稱:Ni2SiTe4晶體
性質(zhì)分類:磁性拓撲絕緣體
合成方法:CVT
存儲:4℃冷藏、密封、避光
保存時間:1年
規(guī)格:mg
包裝:瓶裝/袋裝
用途:僅用于科研,不能用于人體
Ni2SiTe4晶體,磁性拓撲絕緣體
Ni2SiTe4是一種由鎳(Ni)、硅(Si)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于層狀結(jié)構(gòu)的材料。這種化合物可能表現(xiàn)出一些電學(xué)、磁學(xué)或者熱學(xué)性質(zhì)。
對于Ni2SiTe4這類化合物,科學(xué)家們可能對其在拓撲絕緣體、磁性材料或者其他領(lǐng)域的潛在應(yīng)用性質(zhì)感興趣。層狀結(jié)構(gòu)的材料通常因其在電子學(xué)、磁學(xué)和熱學(xué)方面的性質(zhì)而備受關(guān)注。
然而,關(guān)于Ni2SiTe4晶體的具體性質(zhì)和潛在應(yīng)用,可能需要更深入的研究和探索??茖W(xué)家們可能會進行實驗和理論研究,以全面了解其特性,并探索其在不同領(lǐng)域的實際應(yīng)用。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.20.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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