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3D Stretchable Microelectrode Array
3D-formfitting microelectrode array
產地類別 | 進口 | 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產業(yè),綜合 |
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力學模塊 | 應變速率高達80/s,應變度高達80% | 成像模塊 | 幀率:2,000fps |
電生理模塊 | 2x60通道 |
細胞電生理牽張拉伸系統(tǒng) |
細胞電生理牽張拉伸系統(tǒng) |
美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)
機械力刺激
電刺激記錄
高分辨率成像三合一
美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型
3D 貼合微電極陣列,用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能,以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。 與動物模型和 2D 細胞培養(yǎng)物相比,它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經和神經退行性腦疾病的有效模型。 然而,它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。
傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的,因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分,而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸,以收集比以前更多的神經信號。
3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境,以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。
牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體完整尺寸
創(chuàng)傷性腦損傷和反復腦震蕩
脊髓損傷
神經退行性疾病
肌肉損傷
MEASSURE 是一個完整的解決方案,供研究人員以機械方式拉伸細胞/組織、對其進行光學成像以及分別或同時記錄/刺激電生理活動。
電極與細胞/組織一起伸展
在拉伸之前、期間和之后記錄/刺激
拉伸前后電生理活動的比較(標準化)
彈性有機硅基板上的軟微電極陣列 (MEA)
提供剛性基板上的標準微電極
拉伸之前、期間和之后
在 2MP 分辨率下高達每秒 2,000 幀
定制的、易于使用的軟件,可獨立測量組織應變
徑向,單軸
自定義應變場
一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
高達 50% 的應變
應變率高達 80/s
任何拉伸圖案
高重現(xiàn)性
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