美國(guó) 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國(guó)bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類(lèi)器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類(lèi)器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程。

大腦類(lèi)器官使用人體細(xì)胞來(lái)復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類(lèi)器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類(lèi)器官表面積的一小部分，而B(niǎo)M的 3D 微電極陣列大限度地與類(lèi)器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號(hào)。

 3D 微電極陣列為球形類(lèi)器官創(chuàng)建一個(gè)更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動(dòng)創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體系統(tǒng)

技術(shù)特點(diǎn)概述：

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應(yīng)變場(chǎng)
★一種快速?zèng)_動(dòng)拉伸或周期性拉伸
★高達(dá)50％的應(yīng)變
★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復(fù)性

-細(xì)胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測(cè)量以及記錄電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集記錄

與體內(nèi)研究相比，體外研究具有許多優(yōu)勢(shì)，例如（1）更嚴(yán)格地控制化學(xué)和物理環(huán)境，（2）更便宜，（3）更快，以及（4）需要的動(dòng)物更少。然而，分離和培養(yǎng)的原代細(xì)胞與生物體中相應(yīng)的細(xì)胞類(lèi)型不同，限制了體外數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)體內(nèi)行為的價(jià)值。這種分歧的一個(gè)主要原因是體外實(shí)驗(yàn)不能復(fù)制生物體內(nèi)細(xì)胞的機(jī)械和電環(huán)境。MEASSURE 通過(guò)在體外受控環(huán)境中復(fù)制體內(nèi)細(xì)胞的機(jī)械和電環(huán)境來(lái)解決這一弱點(diǎn)。