光遺傳性微絲列陣憑借我們新穎可靠的產(chǎn)品，通過集成光纖結(jié)合多通道陣列對(duì)細(xì)胞進(jìn)行光活化/光抑制，您可以在光刺激的同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)擴(kuò)展大腦區(qū)域的神經(jīng)電生理記錄。光遺傳性微絲列陣 Opto-MWA 專為慢性實(shí)驗(yàn)而設(shè)計(jì)，為神經(jīng)科學(xué)界提供了最佳的靈活性和負(fù)擔(dān)得起的替代方案。

光遺傳性微絲列陣

用戶定制

多種光纖直徑可供選擇。

多達(dá) 32 個(gè)穿透電極圍繞一根或多根光纖。

每個(gè)電極和光纖的自定義長(zhǎng)度在 1 到 40 毫米之間，包括陣列內(nèi)的不同長(zhǎng)度。

電極之間的自定義間距在 0.1 - 1 毫米范圍內(nèi)

單個(gè)電極的自定義微電極阻抗范圍在 10 kΩ - 5 MΩ 之間。

自定義電極，端部直徑在 1 - 6 µm 之間。

根據(jù)研究人員的要求定制參考電極和接地電極。

可選集成光纖和/或藥物輸送套管。

Parylene-C 電極絕緣。

純銥建議用于慢性刺激研究。

可選的聚酰亞胺管以增加剛度。

金屬類型

鉑/銥 純銥

應(yīng)用：

單臺(tái)-LFP ECOG

脊髓

隔離制備

光遺傳性微絲列陣

受試對(duì)象

嚙齒動(dòng)物

大型動(dòng)物

鳥類

非人類靈長(zhǎng)類

光纖位于陣列的中間，其垂直位置是定制的，其插座與大多數(shù)光源兼容。

小規(guī)模但高密度的陣列提供多通道單單元 (SUA)、多單元 (MUA) 和場(chǎng)電位 (FP) 數(shù)據(jù)，從而獲得一致和高質(zhì)量的結(jié)果。

標(biāo)準(zhǔn)布局

電極直徑 75 µm、125 µm 和 225 µm

A. 電極之間的距離 100 µm 至 1 mm

B. 電極與光纖之間的距離 100 µm 至 1 mm

C. 光纖直徑 125 µm 或 230 µm

光遺傳學(xué)將特定神經(jīng)元或蛋白質(zhì)的基因靶向與光學(xué)技術(shù)相結(jié)合，用于對(duì)完整、活神經(jīng)回路內(nèi)的目標(biāo)進(jìn)行成像或控制（Deisseroth 等，用于照亮基因靶向大腦回路的下一代光學(xué)技術(shù)。J Neurosci. 2006 Oct 11; 26（41）：10380-6。）

數(shù)據(jù)由 Ilka Diester、感覺運(yùn)動(dòng)回路和光遺傳學(xué)、恩斯特·斯特魯恩曼研究所與德國馬克斯·普朗克學(xué)會(huì)合作提供