刻蝕工藝通過(guò)選擇性地移除沉積過(guò)程中添加的介電（絕緣）材料和金屬（導(dǎo)電）材料，協(xié)助形成芯片構(gòu)件。這些工藝涉及使用多種材料制造越來(lái)越小、越來(lái)越復(fù)雜的高窄形構(gòu)件。采用的主要技術(shù)為反應(yīng)離子刻蝕（RIE），該技術(shù)用離子（帶電粒子）轟擊硅片表面，以移除相應(yīng)的材料。對(duì)于最微小的構(gòu)件，原子層刻蝕（ALE）可以一次移除數(shù)層原子層。導(dǎo)體刻蝕工藝精確地形成晶體管等重要電氣組件，介電質(zhì)刻蝕工藝則形成保護(hù)導(dǎo)電部分的絕緣結(jié)構(gòu)。利用刻蝕工藝還可形成高柱狀構(gòu)件，如硅通孔（用于連接芯片）和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）中所用構(gòu)件。
無(wú)論高窄、短寬或是只有幾納米大小，泛林集團(tuán)等離子刻蝕系統(tǒng)都可以為形成這些精確結(jié)構(gòu)提供必要的高性能和高生產(chǎn)力。
晶圓邊緣刻蝕用于半導(dǎo)體制程各道工序之間，可清除晶圓邊緣無(wú)用的掩膜、殘留物和薄膜。如果不清洗，這些材料就會(huì)成為缺陷源。例如，它們可能會(huì)剝落并在隨后的工藝流程中重新沉積在器件區(qū)域。如果有顆粒落在器件關(guān)鍵部位，即使只有一個(gè)，也可能毀掉整塊芯片。通過(guò)在關(guān)鍵工藝位節(jié)點(diǎn)插入晶圓邊緣清洗工藝，可以消除這些潛在的缺陷源，從而產(chǎn)出更多合格芯片。
或者，由晶圓邊緣沉積提供一層保護(hù)膜來(lái)覆蓋此區(qū)域。例如，在諸如 3DNAND 等良好存儲(chǔ)器器件中，需要超長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕工藝。這些長(zhǎng)時(shí)間的工藝步驟可能會(huì)對(duì)晶圓邊緣襯底造成嚴(yán)重?fù)p壞，以至于如果沒(méi)有這種保護(hù)屏障，晶圓根本就不會(huì)產(chǎn)出。在 3D 封裝的晶圓鍵合中，這一晶圓邊緣沉積層在載體與器件之間提供機(jī)械支持，從而防止崩裂、平整薄膜并確保高品質(zhì)的鍵合。
泛林集團(tuán)的 Coronus® 晶圓邊緣刻蝕和沉積系列產(chǎn)品具備等離子工藝的精確控制和靈活性，可以和其它有效芯片區(qū)域保護(hù)技術(shù)一起用于保護(hù)晶圓邊緣以提高芯片良率。
Industry Challenges
芯片制造商越來(lái)越注重減少邊緣損耗，以此作為增加晶圓邊緣有效芯片數(shù)量的重要策略，因而晶圓邊緣工程成為開發(fā)團(tuán)隊(duì)的首要工作。晶圓邊緣薄膜疊層的機(jī)械磨損或應(yīng)力可能導(dǎo)致薄膜分層，隨后重新沉積在晶圓正面，因而影響良率。在浸入式光刻技術(shù)中，邊緣存在的缺陷會(huì)被帶到晶圓關(guān)鍵區(qū)域，導(dǎo)致良率下降，因此晶圓邊緣完整性至關(guān)重要。晶圓邊緣區(qū)域清洗或沉積步驟有助于消除晶圓邊緣的良率限制因素，解決上述問(wèn)題。
Key Customer Benefits
選擇性地移除晶圓邊緣的無(wú)用材料，提高良率
運(yùn)用 的等離子處理技術(shù)，保護(hù)有效芯片的區(qū)域
同步清除多種材料的薄膜疊層和殘留物，確保高生產(chǎn)效率
行業(yè) 能清除非晶碳薄膜和富碳?xì)埩粑锏倪吘壡逑串a(chǎn)品
去除金屬膜，防止在后續(xù)的等離子刻蝕或沉積步驟中形成電弧
消除了邊緣崩裂和輪廓滾降等晶圓鍵合問(wèn)題
防止在長(zhǎng)時(shí)間的濕法刻蝕過(guò)程中對(duì)晶圓邊緣的襯底造成損壞