大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀

產(chǎn)品介紹

深圳市華科智源科技有限公司是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測試 ， 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電 ，變頻器， 焊機行業(yè)的  IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。

主要特點

A：測量多種IGBT、MOS管 

B：最大脈沖電流1200A，電壓5KV，大功率測試

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護被測量器件

H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 

測試項目
A：ICES  集電極-發(fā)射極漏電流
B：IGESF 正向柵極漏電流  IGESR 反向柵極漏電流
C：BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
D：VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
E：VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
F：ICON 通態(tài)電極電流
G：VGEON 通態(tài)柵極電壓
H：VF 二極管正向?qū)▔航?/span>

Vce-Ic特征曲線

Vgth-Vce特征曲線