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        1. 深圳市育創(chuàng)科技有限公司
          中級會(huì)員 | 第2年

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          當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> ITC57300-MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀

          ITC57300-MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀
          • ITC57300-MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀
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          貨物所在地:廣東深圳市

          地: 深圳

          更新時(shí)間:2023-12-11 13:38:36

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          Noiseken電磁兼容設(shè)備
          科威爾光儲(chǔ)測試儀器
          德維創(chuàng)測試儀器
          Chroma測試儀器
          艾普斯電源
          拓普瑞多路溫度記錄儀
          殘余漏電流測試儀
          麥科信光隔離探頭
          dSPACE MicroLabBox
          華科智源半導(dǎo)體測試
          杭州精日直流電源
          電池內(nèi)部短路測試L型鎳片
          回饋式電網(wǎng)模擬電源
          雙向可編程直流電源
          安規(guī)綜合測試儀
          電池充放電測試系統(tǒng)
          數(shù)字萬用表
          信號發(fā)生器
          示波器
          功率分析儀
          華儀安規(guī)測試儀
          ITC57300 MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀是美國ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試設(shè)備,采用測試主機(jī)+功能測試頭+個(gè)性板的測試架構(gòu),可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)的測試要求,且具有波形實(shí)時(shí)顯示分析功能,是目前完備可靠的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試設(shè)備。

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          MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀


          主要測試能力

          1.測試電壓:1200 VDC 200(短路電流可達(dá)1000A)

          2.定時(shí)測量:為1 ns

          3.漏電流限制監(jiān)視器

          4.MOSFET開關(guān)時(shí)間測試, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps

          5.MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測試,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps

          6.Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us

          7.MOSFET柵電荷Qg測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps

          8.IGBT感性開關(guān)時(shí)間測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH

          9.IGBT短路耐量測試,Max ISC=1000A


          測試標(biāo)準(zhǔn)

          MIL-STD-750 Series


          MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀選項(xiàng)

          1.額外的電源供應(yīng)器

          2.額外的測試頭

          3.大包裝適配器


          測試儀測試頭

          1.ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472開關(guān)時(shí)間

          2.ITC57220 - TRR /電源,MOSFET和二極管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473

          3.ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471

          4.ITC57240 - 電感式開關(guān)時(shí)間為IGBT,MIL-STD 750方法3477

          5.ITC57250 - (ISC)短路耐受時(shí)間,MIL-STD-750方法3479


          ITC57210 開關(guān)時(shí)間測試頭

          此測試頭以美軍標(biāo) MIL-STD-750, Method 3472,驗(yàn)證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關(guān)時(shí)間。所測量的參數(shù)包括 :Time Delay On[td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)


          ITC57230 柵電荷測試頭

          ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3471進(jìn)行考驗(yàn)。 先給MOSFET管的柵極加電壓,在柵極打開時(shí),把一個(gè)恒電流,高阻抗的負(fù)載接到MOSFTE管的漏極。當(dāng)漏極電流攀爬到用戶設(shè)定的數(shù)值時(shí),被測器件的柵電荷可通過向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放(或P溝道器件,向源極導(dǎo)通)。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計(jì)算出電荷量。


          ITC57250 短路耐量測試頭

          ITC57250以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3479的定義,實(shí)行短路耐抗時(shí)間測試。在某些電路,如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路,半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時(shí)間的短路狀況。此測試就是用于驗(yàn)證器件在短路情況下所能承受的耐抗時(shí)間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動(dòng)脈寬。



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