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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> ITC57300-MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀
MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀
主要測試能力
1.測試電壓:1200 VDC 200(短路電流可達(dá)1000A)
2.定時(shí)測量:為1 ns
3.漏電流限制監(jiān)視器
4.MOSFET開關(guān)時(shí)間測試, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
5.MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測試,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
6.Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
7.MOSFET柵電荷Qg測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
8.IGBT感性開關(guān)時(shí)間測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
9.IGBT短路耐量測試,Max ISC=1000A
測試標(biāo)準(zhǔn)
MIL-STD-750 Series
MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀選項(xiàng)
1.額外的電源供應(yīng)器
2.額外的測試頭
3.大包裝適配器
測試儀測試頭
1.ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472開關(guān)時(shí)間
2.ITC57220 - TRR /電源,MOSFET和二極管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473
3.ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471
4.ITC57240 - 電感式開關(guān)時(shí)間為IGBT,MIL-STD 750方法3477
5.ITC57250 - (ISC)短路耐受時(shí)間,MIL-STD-750方法3479
ITC57210 開關(guān)時(shí)間測試頭
此測試頭以美軍標(biāo) MIL-STD-750, Method 3472,驗(yàn)證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關(guān)時(shí)間。所測量的參數(shù)包括 :Time Delay On[td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)
ITC57230 柵電荷測試頭
ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3471進(jìn)行考驗(yàn)。 先給MOSFET管的柵極加電壓,在柵極打開時(shí),把一個(gè)恒電流,高阻抗的負(fù)載接到MOSFTE管的漏極。當(dāng)漏極電流攀爬到用戶設(shè)定的數(shù)值時(shí),被測器件的柵電荷可通過向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放(或P溝道器件,向源極導(dǎo)通)。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計(jì)算出電荷量。
ITC57250 短路耐量測試頭
ITC57250以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3479的定義,實(shí)行短路耐抗時(shí)間測試。在某些電路,如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路,半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時(shí)間的短路狀況。此測試就是用于驗(yàn)證器件在短路情況下所能承受的耐抗時(shí)間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動(dòng)脈寬。
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