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          賦能創(chuàng)“芯”| 把控化學(xué)品中超痕量金屬元素污染,應(yīng)對極致檢測需求!

          閱讀:521      發(fā)布時(shí)間:2023-6-25
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          隨著半導(dǎo)體制程線寬已達(dá)納米時(shí)代,細(xì)微的污染都可能改變半導(dǎo)體的性質(zhì),濕電子化學(xué)品是電子行業(yè)濕法制程的關(guān)鍵材料,需要直接與硅片接觸,其金屬離子的控制對于確保產(chǎn)品良率至關(guān)重要。賽默飛可提供從ICP-OESICPMS(單桿、三重四極桿到高分辨)的全產(chǎn)品線解決方案,適用于不同制程的痕量污染物檢測需求,確保 QA/QC 一致性,助力提升良率!


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          突破高純有機(jī)溶劑行業(yè)壁壘

          高純度有機(jī)溶劑被廣泛使用在集成電路行業(yè)中,包括異丙醇、甲醇、丙酮、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、丙二醇甲醚醋酸脂(PGMEA)、乳酸乙酯、二甲基乙酰胺等。如異丙醇因其低表面張力和易揮發(fā)性而用于晶片清洗和干燥,在封裝測試、化學(xué)中間體以及油墨生產(chǎn)中異丙醇的需求量也很大;NMPPGMEA作為高級溶劑可與水互溶,并且能溶解大部分的有機(jī)和無機(jī)化合物,具有良好穩(wěn)定性,被廣泛應(yīng)用于光刻膠溶劑等。

           

          賽默飛可為高純有機(jī)溶劑提供QA/QC檢測,遵循國際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定用ICPMS法來測定超痕量金屬離子雜質(zhì),此外,還可以提供創(chuàng)新R&D檢測方案,準(zhǔn)確地對雜質(zhì)進(jìn)行鑒定和監(jiān)測,可以有利于工藝方案的優(yōu)化及產(chǎn)品質(zhì)量的控制,以及不同批次產(chǎn)品間的組分差異,助力突破研發(fā)壁壘。

           

          ??高純有機(jī)溶劑ICPMS測試的挑戰(zhàn)

          有機(jī)溶劑直接進(jìn)樣對于ICPMS測定有較大的挑戰(zhàn),高揮發(fā)性增加了等離子體負(fù)載,導(dǎo)致炬焰收縮而熄火,炬管和接口的積碳導(dǎo)致檢測強(qiáng)度下降影響長期穩(wěn)定性,甚至于堵塞錐孔。因此傳統(tǒng)測試上采用揮發(fā)蒸干用酸提取,對于水溶性溶劑也使用稀釋法進(jìn)樣。固態(tài)聚合物更多地使用高溫灰化或微波消解的前處理方法。但隨著試劑純度的提高,對于其中要求的雜質(zhì)限量值越來越低,樣品前處理步驟往往會有引入污染的風(fēng)險(xiǎn),尤其是前處理?xiàng)l件不能滿足潔凈度要求的情況下。

           

          iCAP TQs最新變頻阻抗匹配設(shè)計(jì)的RF發(fā)生器,對于有機(jī)溶劑直接進(jìn)樣具有及其快速的匹配,并結(jié)合高效Peltier霧化室制冷模塊,在霧化室連接管上接入高純度氧氣,與樣品氣溶膠混合后導(dǎo)入離子體,加氧消除積碳保持進(jìn)樣穩(wěn)定性,即便在600w冷等離子體條件下也能獲得穩(wěn)定的測定結(jié)果。串聯(lián)四極桿技術(shù)結(jié)合碰撞與反應(yīng)模式可進(jìn)一步去除碳、氮、氬等基體產(chǎn)生的多原子離子干擾,可獲得低背景值并更為準(zhǔn)確的結(jié)果。分析操作流程也更為簡單、快速,可有效控制外來污染并提高分析工作效率。

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          ??應(yīng)用案例:電子級N-甲基吡咯烷酮(NMP

          電子級NMP在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用途廣泛,可作為光刻膠溶劑、除膠劑、清洗劑等。NMP密度為1.028g/cm3與水的密度相當(dāng),沸點(diǎn)202℃其在室溫下?lián)]發(fā)性低,粘度較低并可以與水互溶。結(jié)構(gòu)中存在N-甲基使NMP直接進(jìn)樣ICPMS分析時(shí),其基體效應(yīng)相對于異丙醇要強(qiáng),將抑制待測元素的信號強(qiáng)度。通過等離子體條件優(yōu)化,結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)加入法定量測定可消除基體效應(yīng)。


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          NMP的檢測中,采用賽默飛三重四極桿iCAP TQs半導(dǎo)體專用ICPMS,將ICPMS霧化室制冷至-5℃,減少有機(jī)溶劑進(jìn)樣量,50ml/min等離子體加氧避免錐口積碳。有機(jī)溶劑直接進(jìn)樣測定時(shí),碳、氮、氬基體離子將對待測離子產(chǎn)生嚴(yán)重的干擾,如12C?+2?Mg+13C1?N+2?Al+,1?N1?O1H+12C1?O1H+31P+,以及12C+的峰拖尾對M-111B+的干擾等等,方法中采用冷等離子體模式,可有效降低C、 N、Ar等電離,同時(shí)在Qcell中加純氨反應(yīng)以獲得低背景值。11B的測定采用Q1Q3的高分辨模式,提高豐度靈敏度消除12C+的影響。31P采用熱等離子體氧反應(yīng)模式,Q3選擇31P1?O+消除CNHO的多原子離子的干擾。

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          分析結(jié)果


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          iCAP TQs ICPMS穩(wěn)定可靠的RF發(fā)生器在等離子體加氧下,可適合于直接進(jìn)樣測定有機(jī)溶劑,冷等離子體可有效抑制碳基多原子離子的干擾,結(jié)合TQ氨氣和氧氣反應(yīng)模式,在一次測定中可穩(wěn)定切換各種測定模式,提高易用性和分析效率,可滿足半導(dǎo)體行業(yè)超痕量ppt級的痕量金屬雜質(zhì)檢測要求。

           

           

          一鍵獲取賽默飛半導(dǎo)體材料檢測文集

           

           

          賽默飛為半導(dǎo)體材料開發(fā)了全面的痕量無機(jī)陰離子、陽離子和金屬離子的檢測方案,在晶圓表面清洗化學(xué)品、晶圓制程化學(xué)品、晶圓基材和靶材等各方面,全方位滿足半導(dǎo)體生產(chǎn)對相關(guān)材料的質(zhì)量要求,并開發(fā)了通過高分辨質(zhì)譜Orbitrap技術(shù)對于材料未知物研發(fā)檢測的需求,從完整制程出發(fā)提供全面可靠的分析技術(shù),助力半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化乘風(fēng)破浪!

           

          長按識別下方二維碼即可下載《賽默飛半導(dǎo)體材料檢測應(yīng)用文集》,或點(diǎn)擊閱讀原文進(jìn)入半導(dǎo)體解決方案專題頁面獲取更多解決方案!

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