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CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器使用方法
半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時代制造的基礎(chǔ)，堪比工業(yè)時代的機床，是整個社會發(fā)展的基石和原動力。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時期，我國也提出了《中國制造2025》，以通過智能制造實現(xiàn)由制造大國向制造強國的轉(zhuǎn)換。智能制造(工業(yè)4.0)的實現(xiàn)，以各種信息器件的使用為基礎(chǔ)，半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。
而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源，在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用?？稍诠怆娖骷?、傳感器、IC制造中應(yīng)用。
目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長、干法刻蝕等工藝。
退火是通過高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長后釋放應(yīng)力。
氫氣也可以應(yīng)用在化學氣相沉積(ChemicalVaporDepositon)薄膜生長?；瘜W氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時氫氣也可以在原子層沉積(AtomicLayerDeposition)中使用。
氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應(yīng)氣體出現(xiàn)，等離子體刻蝕原理是利用反應(yīng)氣體離化后與材料發(fā)生反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而實現(xiàn)材料圖形化，是半導(dǎo)體器件制備的工藝。
CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器目前已大量應(yīng)用在以上工藝中，為半導(dǎo)體材料及器件制備提供好的氣源。
CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器技術(shù)參數(shù)：
1、氫氣純度：99.9999-99.99999%（外接提純儀）
2、氫氣流量：50L/min
3、輸出壓力：0-1.2MPa
4、壓力穩(wěn)定性：<0.001MPa
5、供電電源：220V±10%50HZ
6、消耗功率：20KW
7、純水需求：＞2MΩ&3L/h
8、氫氣容積：＜20L
9、環(huán)境溫度：1-40℃
10、相對濕度：<85%
11、海拔高度：＜2000米
12、外形尺寸：220x100x200（WxDxHcm）
13、凈重：約600kg(50L)
正確操作步驟：
一、準備工作
檢查設(shè)備：首先，應(yīng)仔細檢CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器外觀是否完好，電源連接是否正常，并核對裝箱單上的品名數(shù)量是否齊全。同時，確保儀器“O2”口暢通，加液口蓋子取下以便注液。
環(huán)境準備：選擇一個具有良好通風性、遠離熱源、無震動、無陽光直射、無粉塵和腐蝕性氣體的場所放置。環(huán)境溫度應(yīng)控制在0℃-40℃，環(huán)境相對濕度應(yīng)不超過85%。
二、開機操作
連接電源：將儀器輸出密封帽旋緊，接通電源線，打開電源。此時，應(yīng)觀察儀器流量顯示，當顯示為300ml/min時，表示儀器正在自檢。
自檢與準備：如果流量顯示數(shù)字大于0，請用皂液檢查輸出口，看螺帽是否旋緊。自檢合格后，關(guān)機并將輸出口螺帽取下。用管路接通用氣設(shè)備（或氣體凈化裝置），再次打開電源，儀器進入工作狀態(tài)。
三、使用過程
流量檢查：在使用過程中，應(yīng)注意流量顯示是否與用氣設(shè)備用氣量一致。如流量顯示超出用氣設(shè)備實際用量較大時，應(yīng)停機檢漏，檢查連接點或用氣設(shè)備是否有漏氣現(xiàn)象并予以解決。
維護保養(yǎng)：定期檢查過濾器中的硅膠是否變色，如變色請馬上更換或再生。該設(shè)備使用一段時間后，電解液會逐漸減少，當電解液位接近低位應(yīng)及時補水，加入二次蒸餾水即可。
四、關(guān)機操作
使用完畢后，按照正常關(guān)機程序關(guān)閉CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器，并斷開電源。
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