目錄:深圳市新瑪科技有限公司>>半導(dǎo)體C-V特性分析儀>>半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)>> LET-2000D力鈦科(Letak)半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
參考價(jià) | 面議 |
參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間:2024-01-28 17:25:50瀏覽次數(shù):1374評(píng)價(jià)
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
LET-2000D力鈦科(Letak)半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
LET-2000D力鈦科(Letak)半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
是滿足IEC60747-8/9、JESD24標(biāo)準(zhǔn),旨在幫助工程師解決器件驗(yàn)證、器件參數(shù)評(píng)估、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)等需要半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)的場(chǎng)合。特別對(duì)于應(yīng)用第三代半導(dǎo)體的需要,有著較高的系統(tǒng)帶寬,可以有效的測(cè)量出實(shí)際的器件參數(shù)。
雙脈沖測(cè)試法可以測(cè)試IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)的性能,獲取IGBT穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)過(guò)程中的主要參數(shù),用以評(píng)估IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)的性能,并進(jìn)行電路參數(shù)的優(yōu)化。
具體包括測(cè)試IGBT的實(shí)際工況、開關(guān)損耗、關(guān)斷電壓尖峰、開關(guān)暫態(tài)震蕩情況、二極管反向恢復(fù)電流、雜散電感影響、吸收電路影響、短路保護(hù)功能等,可以通過(guò)測(cè)試進(jìn)行優(yōu)化柵極電阻RGON和RGOFF參數(shù)、吸收電路參數(shù)、開關(guān)頻率設(shè)置等,并可以進(jìn)行IGBT模塊的并聯(lián)和串聯(lián)實(shí)驗(yàn)。
硬件優(yōu)勢(shì):
-采用12 bit示波器:正確反映波形的細(xì)節(jié),并準(zhǔn)確計(jì)算出參數(shù)
-采用光隔離、高CMRR探頭系統(tǒng),解決SIC\GAN的測(cè)試難點(diǎn)
-高帶寬的電壓和電流探測(cè),彌補(bǔ)一般系統(tǒng)對(duì)SIC/GAN的測(cè)量要求
-可以滿足上/下管測(cè)試,避免頻繁連接探頭
-電壓覆蓋范圍寬、并可以再次擴(kuò)展
-器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)支持SIC/GAN器件
-系統(tǒng)帶寬:>400MHz
-系統(tǒng)可以定制
軟件特點(diǎn):
測(cè)量參數(shù)齊全:開關(guān)參數(shù)、短路參數(shù)、反向恢復(fù)參數(shù)
支持器件類型多:?jiǎn)喂?模塊,MOSFET、IGBT、FWD、GTR…
測(cè)試方式:?jiǎn)蚊}沖、多脈沖
離線數(shù)據(jù)分析:既可以在線測(cè)量,也可以記錄數(shù)據(jù)離線分析
測(cè)試UI符合工程師的使用習(xí)慣
測(cè)量項(xiàng)目及器件支持?jǐn)U展
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)