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          少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

          參  考  價(jià)面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

          產(chǎn)品型號(hào)

          品       牌Freiberg Instruments

          廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

          所  在  地上海市

          更新時(shí)間:2024-11-02 14:01:02瀏覽次數(shù):73次

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          少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
          用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

          少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)


          產(chǎn)品特點(diǎn)

          用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

          詳細(xì)介紹


          產(chǎn)品介紹:

          MDPpro 850+


          用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。



          特點(diǎn) :        

          ◇ 壽命范圍:20 ns至100 ms(樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm)   

          ◇  SEMI標(biāo)準(zhǔn):PV9-1110        

          ◇  測試速度:線掃描 < 30 s;完整的面掃秒 < 5 min        

          ◇  同時(shí)測量:壽命μPCD/MDP(QSS)和電阻率

          ◇  自動(dòng)幾何形狀識(shí)別: G12、M10晶磚和晶圓片        

              

          直拉硅單晶硅錠中的滑移線


          應(yīng)用 :   


          ◇  壽命 & 電阻率面掃描        

          ◇  晶體生長監(jiān)控(即滑移線)        

          ◇  污染監(jiān)測

          ◇  氧條紋/OSF環(huán)       

          ◇  P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

          ◇  光束感應(yīng)電流(LBIC)

          ◇  發(fā)射極層的方阻        

          ◇  更多…


          含有大量缺陷的準(zhǔn)單晶硅錠的壽命測量


          技術(shù)規(guī)格 :   

          材料單晶硅
          晶錠尺寸125  x 125至210 x 210 mm2,晶磚長850 mm或更長
          晶圓尺寸直徑可達(dá)300 mm
          電阻率范圍0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍
          導(dǎo)電類別p//n
          可測量的參數(shù)壽命-μPCD/MDP(QSS)、光電導(dǎo)率、電阻率等
          默認(rèn)激光器

          IR激光二極管(980 nm,不超過500 mW)和IR激光二極管(905 nm,不超過9000 mW)??筛鶕?jù)要求提供其他波長

          電腦Windows 11或新版本、 Framework更新、2個(gè)以太網(wǎng)端口
          電力要求100 – 250 V AC, 6 A
          尺寸(寬*高*長)  2560 × 1910 × 1440 mm
          重量約200 kg
          認(rèn)證根據(jù)ISO 9001準(zhǔn)則制造,符合CE要求


          MDP studio -  操作和評(píng)估軟件 :

          用戶友好且優(yōu)良的操作軟件具有:

          ◇  導(dǎo)入和導(dǎo)出功能

          ◇  帶有操作員的用戶結(jié)構(gòu)

          ◇  所有執(zhí)行的測量概覽

          ◇  樣品參數(shù)輸出

          ◇  單點(diǎn)測量(例如:注入濃度相關(guān)的測量)

          ◇  面掃描

          ◇  測試配方

          ◇  分析功能包

          ◇  線掃描和單點(diǎn)瞬態(tài)視圖


          遠(yuǎn)程訪問基于IP的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持


          配置選項(xiàng):

          ◇  光斑尺寸變化

          ◇  電阻率測量(晶磚和晶圓片)

          ◇  背景/偏置光

          ◇  反射測量(MDP)

          ◇  LBIC

          ◇  P型摻雜硅中的鐵圖譜

          ◇  p/n檢測

          ◇  條碼讀取器

          ◇  自動(dòng)幾何識(shí)別

          ◇  寬的激光器波長范圍


          多晶硅晶圓線掃描


          HJT晶圓的壽命測量


          MDPpro850+  應(yīng)用 :        

          鐵濃度測定

          鐵的濃度的精確測定是非常重要的,因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線的

          更多......


          摻雜樣品的光電導(dǎo)率測量

          B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用,但到目前為止,沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……

          更多......


          陷阱濃度測定

          陷阱中心是非常重要的,為了了解材料中載流子的行為,也可以對(duì)太陽能電池產(chǎn)生影響。因此,需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。

          更多......


          注入相關(guān)測量

          少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。

          更多......




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